[發(fā)明專利]薄膜電阻合金在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710023485.X | 申請日： | 2017-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN107686909A | 公開（公告）日： | 2018-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李英杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 國立屏東科技大學(xué) |
| 主分類號： | C22C19/05 | 分類號： | C22C19/05;C22C30/00;H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京匯智英財(cái)專利代理事務(wù)所(普通合伙)11301 | 代理人： | 鄭玉潔 |
| 地址： | 中國臺灣*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 電阻 合金 | ||
1.一種薄膜電阻合金，包括：
以原子百分比計(jì)為38～60%的鎳、10～25%的鉻、3～10%的錳、4～18%的釔及1～36%的鑭系元素。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為40.4～58.5%的鎳、12.5～21.6%的鉻、5.2～7.8%的錳、6.1～15.5%的釔及3.7～33.1%的鑭系元素。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為58.5%的鎳、21.6%的鉻、7.5%的錳、8.7%的釔及3.7%的鏑。
4.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為44.6%的鎳、16.2%的鉻、5.2%的錳、15.5%的釔及18.5%的鏑。
5.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為42.9%的鎳、15.2%的鉻、6.2%的錳、9.5%的釔及26.2%的鏑。
6.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為41.0%的鎳、14.3%的鉻、5.5%的錳、6.1%的釔及33.1%的鏑。
7.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為54.8%的鎳、19.4%的鉻、7.8%的錳、12.9%的釔及5.1%的鋱。
8.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為46.6%的鎳、16.9%的鉻、8.3%的錳、10.1%的釔及18.1%的鋱。
9.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為42.9%的鎳、15.1%的鉻、6.1%的錳、10.8%的釔及25.1%的鋱。
10.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻合金，其特征在于，該薄膜電阻合金包括以原子百分比計(jì)為40.4%的鎳、12.5%的鉻、5.4%的錳、9.2%的釔及32.5%的鋱。
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