[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710023214.4
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN108305938B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 元淼;沈奇雨;許徐飛;占建英;郭海兵
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L27/28;H01L51/40
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術領域，能夠減少有源層中垂直于OTFT溝道中載流子傳輸方向的晶界數量。該薄膜晶體管的制作方法包括制作源極和漏極的方法，還包括制作有源層的方法：在襯底上沿第一方向形成多個處理區域，且任意相鄰兩個處理區域具有不同的親水性；其中，第一方向與薄膜晶體管的載流子傳輸方向平行；在襯底上形成至少覆蓋相鄰兩個處理區域的部分交界區域的有源層。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

TFT-LCD(英文全稱：Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，中文全稱：薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點，而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。

具體的，薄膜晶體管包括無機薄膜晶體管和有機薄膜晶體管(英文全稱：OrganicThin Film Transistor，英文簡稱：OTFT)。其中，OTFT可以用來制作更小的器件，此外OTFT具有很好的柔韌性，可以用來制備柔性顯示器。

現有的制作OTFT的過程中，可以通過構圖工藝在襯底基板上形成柵極和柵極絕緣層，然后通過噴墨打印工藝在該柵極絕緣層上形成有機半導體溶液，該有機半導體溶液在干燥后形成如圖1所示的有源層10。然后，通過構圖工藝形成源極11和漏極12。

然而，由于該有機半導體溶液在柵極絕緣層界面上的干燥過程呈現各項同性，因此經過干燥形成的薄膜的成膜方向以及成膜速度具有一定的隨機性。這樣一來，形成的薄膜形貌可控性差，且如圖1所示有源層10薄膜中的結晶方向雜亂。在此情況下，上述有源層10薄膜中垂直于OTFT溝道中載流子傳輸方向A的晶界會影響載流子的遷移速度，從而降低了OTFT的遷移率。

發明內容

本發明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠減少有源層中垂直于OTFT溝道中載流子傳輸方向的晶界數量。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括制作源極和漏極的方法，還包括制作有源層的方法：在襯底上沿第一方向形成多個處理區域，且任意相鄰兩個所述處理區域具有不同的親水性；其中，所述第一方向與所述薄膜晶體管的載流子傳輸方向平行；在所述襯底上形成至少覆蓋相鄰兩個所述處理區域的部分交界區域的有源層。

優選的，在所述襯底上形成多個處理區域包括：所述多個處理區域依次緊密排列。

優選的，在所述襯底上形成多個處理區域包括：所述處理區域的親水性依次漸變。

優選的，被所述有源層覆蓋的所有所述處理區域沿第二方向的尺寸均相等；其中，所述第二方向與所述第一方向垂直。

優選的，在所述襯底上形成多個處理區域包括：通過紫外光照射工藝在所述襯底上形成多個所述處理區域。

進一步優選的，所述紫外光照射工藝包括：在所述襯底待照射的一側設置光照掩膜板；采用紫外汞燈透過所述光照掩膜板的透光區對所述襯底進行照射；沿所述第一方向勻速移動所述襯底或所述光照掩膜板。

進一步優選的，所述紫外光照射工藝包括：在所述襯底待照射的一側設置光照掩膜板；在同一照射時間內，采用多個具有不同光照強度的低壓紫外汞燈透過所述光照掩膜板的透光區對所述襯底進行照射。

進一步優選的，所述紫外光照射工藝包括：在所述襯底待照射的一側設置光照掩膜板；采用多個光照強度相同且光照時間不同的低壓紫外汞燈，透過所述光照掩膜板的透光區對所述襯底進行照射。

優選的，所述光照掩膜板與制備所述有源層的掩膜板相同。