[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710023214.4
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN108305938B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 元淼;沈奇雨;許徐飛;占建英;郭海兵
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L27/28;H01L51/40
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括制作源極和漏極的方法，還包括制作有源層的方法：

在襯底上沿第一方向形成多個處理區域，且任意相鄰兩個所述處理區域具有不同的親水性；其中，所述第一方向與所述薄膜晶體管的載流子傳輸方向平行；

在所述襯底上形成至少覆蓋相鄰兩個所述處理區域的部分交界區域的有源層；

在所述襯底上形成所述有源層包括：在所述襯底上形成有機半導體溶液；所述有機半導體溶液干燥成膜，以形成所述有源層；

將襯底基板作為所述襯底；在所述襯底上形成至少覆蓋相鄰兩個所述處理區域的部分交界區域的有源層之后，所述方法還包括：在形成有所述有源層的襯底基板上，通過構圖工藝依次形成柵極絕緣層和柵極；在形成有柵極的襯底基板上，通過構圖工藝形成所述源極和所述漏極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成多個處理區域包括：所述多個處理區域依次緊密排列。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成多個處理區域包括：所述處理區域的親水性依次漸變。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，被所述有源層覆蓋的所有所述處理區域沿第二方向的尺寸均相等；其中，所述第二方向與所述第一方向垂直。

5.根據權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成多個處理區域包括：通過紫外光照射工藝在所述襯底上形成多個所述處理區域。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工藝包括：

在所述襯底待照射的一側設置光照掩膜板；

采用紫外汞燈透過所述光照掩膜板的透光區對所述襯底進行照射；

沿所述第一方向勻速移動所述襯底或所述光照掩膜板。

7.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工藝包括：

在所述襯底待照射的一側設置光照掩膜板；

在同一照射時間內，采用多個具有不同光照強度的低壓紫外汞燈透過所述光照掩膜板的透光區對所述襯底進行照射。

8.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工藝包括：

在所述襯底待照射的一側設置光照掩膜板；

采用多個光照強度相同且光照時間不同的低壓紫外汞燈，透過所述光照掩膜板的透光區對所述襯底進行照射。

9.根據權利要求6-8任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述光照掩膜板與制備所述有源層的掩膜板相同。

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成有機半導體溶液之前，所述方法還包括：

在所述襯底上形成一層光刻膠；

通過一次構圖工藝，將部分光刻膠去除，以形成光刻膠去除區域；

在所述襯底上形成有機半導體溶液包括在所述襯底上對應所述光刻膠去除區域的位置形成所述有機半導體溶液。

11.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，構成所述有源層的材料包括極性半導體材料。

12.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述有機半導體溶液的溶劑為極性溶劑。