[發(fā)明專利]存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710022633.6
• 申請(qǐng)日: 2017-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN107808680B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 片山明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 萬(wàn)利軍;段承恩

1.一種存儲(chǔ)裝置，具備：

存儲(chǔ)單元陣列，其具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括利用電阻變化來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和/或讀取的元件；

生成電路，其生成參考電流；

讀出放大器，其對(duì)在存儲(chǔ)單元中流通的單元電流和所述參考電流進(jìn)行比較，檢測(cè)所述存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；

第1鉗位晶體管，其連接在所述讀出放大器的第1輸入端子與所述存儲(chǔ)單元之間；

第2鉗位晶體管，其連接在所述讀出放大器的第2輸入端子與所述生成電路之間；

第1布線層，其連接于所述第1鉗位晶體管的柵，沿第1方向延伸；

第2布線層，其連接于所述第2鉗位晶體管的柵，沿所述第1方向延伸，與所述第1布線層相鄰地配置；以及

第1屏蔽線，其與所述第1布線層和所述第2布線層中的一個(gè)布線層相鄰地配置，沿所述第1方向延伸，被施加固定電壓，

所述第1布線層與所述第2布線層之間的第1間隔，比所述第1布線層和所述第2布線層中的一個(gè)布線層與所述第1屏蔽線之間的第2間隔窄。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備第2屏蔽線，該第2屏蔽線與所述第1布線層和所述第2布線層中的另一個(gè)布線層相鄰地配置，沿所述第1方向延伸，被施加固定電壓，

所述第1間隔，比所述第1布線層和所述第2布線層中的另一個(gè)布線層與所述第2屏蔽線之間的第3間隔窄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，還具備：

多個(gè)讀出放大器，其包括所述讀出放大器，與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)地設(shè)置；

多個(gè)第1鉗位晶體管，其包括所述第1鉗位晶體管，連接于所述多個(gè)讀出放大器；以及

多個(gè)第2鉗位晶體管，其包括所述第2鉗位晶體管，連接于所述多個(gè)讀出放大器，

所述第1布線層連接于所述多個(gè)第1鉗位晶體管的柵，

所述第2布線層連接于所述多個(gè)第2鉗位晶體管的柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備均衡電路，該均衡電路根據(jù)控制信號(hào)，連接所述第1布線層和所述第2布線層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)裝置，

所述均衡電路包括連接于所述第1布線層與所述第2布線層之間的MOS晶體管，

在所述MOS晶體管的柵，輸入所述控制信號(hào)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備多個(gè)讀出放大器，該多個(gè)讀出放大器包括所述讀出放大器，與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)地設(shè)置，

所述多個(gè)讀出放大器包括第1組和第2組，

所述均衡電路配置在所述第1組與所述第2組之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備第3布線層，該第3布線層連接所述第1布線層和所述第2布線層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備多個(gè)第3布線層，該多個(gè)第3布線層連接所述第1布線層和所述第2布線層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備多個(gè)讀出放大器，該多個(gè)讀出放大器包括所述讀出放大器，與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)地設(shè)置，

所述多個(gè)讀出放大器包括第1組和第2組，

所述第3布線層配置在所述第1組與所述第2組之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

還具備位線，該位線連接所述第1鉗位晶體管和所述存儲(chǔ)單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

所述固定電壓是電源電壓或者接地電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，

在第1工作模式下，所述第1布線層的電壓與所述第2布線層的電壓不同，

在第2工作模式下，所述第1布線層的電壓與所述第2布線層的電壓相同。