[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201710022633.6
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN107808680B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 片山明
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 萬利軍;段承恩

本發明涉及存儲裝置，具備：存儲單元陣列，具有多個存儲單元；生成電路，生成參考電流；讀出放大器，對在存儲單元流通的單元電流和參考電流進行比較，檢測存儲單元所存儲的數據；第1鉗位晶體管，連接在讀出放大器的第1輸入端子與存儲單元之間；第2鉗位晶體管，連接在讀出放大器的第2輸入端子與生成電路之間；第1布線層，連接于第1鉗位晶體管的柵，在第1方向延伸；第2布線層，連接于第2鉗位晶體管的柵，在第1方向延伸，與第1布線層相鄰地配置；第1屏蔽線，與第1布線層和第2布線層之一相鄰地配置，在第1方向延伸，被施加固定電壓，第1布線層與第2布線層之間的第1間隔比第1布線層和第2布線層之一與第1屏蔽線之間的第2間隔窄。

本申請以美國臨時專利申請62/385912號(申請日：2016年9月9日)為在先申請而享有優先權。本申請通過參照該在先申請而包括該在先申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及存儲裝置。

背景技術

阻變式存儲器作為半導體存儲裝置的一種而為人所知。另外，MRAM(magnetoresistive random access memory，磁阻式隨機存取存儲器)作為阻變式存儲器的一種而為人所知。MRAM是對存儲信息的存儲單元(memory cell)使用具有磁阻效應(magnetoresistive effect)的磁阻元件得到的存儲器件。MRAM的寫入方式中存在自旋注入(spin injection)寫入方式。該自旋注入寫入方式具有磁體的尺寸變得越小則磁化反轉所需的自旋注入電流也變得越小這一性質，因此，有利于高集成化、低功耗化以及高性能化。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠抑制讀取余裕(read margin，讀取裕量)的劣化的存儲裝置。

實施方式的存儲裝置具備：

存儲單元陣列，其具有多個存儲單元；

生成電路，其生成參考電流(基準電流)；

讀出放大器(sense amplifier，感測放大器)，其對在存儲單元中流通的單元電流和所述參考電流進行比較，檢測所述存儲單元所存儲的數據；

第1鉗位晶體管(clamp transistor)，其連接在所述讀出放大器的第1輸入端子與所述存儲單元之間；

第2鉗位晶體管，其連接在所述讀出放大器的第2輸入端子與所述生成電路之間；

第1布線層，其連接于所述第1鉗位晶體管的柵，沿第1方向延伸；

第2布線層，其連接于所述第2鉗位晶體管的柵，沿所述第1方向延伸，與所述第1布線層相鄰地配置；以及

第1屏蔽線，其與所述第1布線層和所述第2布線層中的一個布線層相鄰地配置，沿所述第1方向延伸，被施加固定電壓，

所述第1布線層與所述第2布線層之間的第1間隔，比所述第1布線層和所述第2布線層中的一個布線層與所述第1屏蔽線之間的第2間隔窄。

附圖說明

圖1是第1實施方式涉及的半導體存儲裝置的框圖。

圖2是圖1所示的存儲組件(memory unit)的框圖。

圖3是圖1所示的列控制電路的框圖。

圖4是圖3所示的存儲塊(memory block)的電路圖。

圖5是圖4所示的MTJ元件的剖視圖。

圖6是圖3所示的讀出放大器的電路圖。

圖7是說明第1實施方式涉及的讀出放大器周邊的布線構造的俯視圖。

圖8是說明讀出放大器的工作的時間圖(timing chart)。