[發明專利]制造含高電阻率層的半導體結構的方法及相關半導體結構

有效

• 申請號: 201710022513.6
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN107068571B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: I·拉杜;E·德博內
• 申請（專利權）人: SOITEC公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/14;H01L23/48
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成半導體結構(140、240)的方法，包括：

在初始襯底(102)上形成器件層(100、200)；

將器件層(100、200)的第一表面附接至臨時襯底(114、214)；

形成高電阻率層(136、236)，其中，形成高電阻率層包括：通過減薄來去除初始襯底(102)的一部分，從而留下初始襯底的剩余部分(102'、202')；形成延伸通過初始襯底(102)的剩余部分(102'、202')的多個穿孔(128、228)；以及選擇具有大于10000Ohm·cm的電阻率的高電阻率材料(238)；

將最終襯底(132、232)附接至高電阻率層(136、236)；以及

去除臨時襯底(114、214)。

2.根據權利要求1所述的形成半導體結構的方法，其中，通過初始襯底(102)的剩余部分(102'、202')形成多個穿孔(128、228)進一步包括：

在初始襯底(102)的剩余部分(102')的暴露表面(120)上形成遮罩層(124)，以及

通過初始襯底(102)的未遮罩的剩余部分(126)而刻蝕穿孔(128)。

3.根據權利要求2所述的形成半導體結構的方法，其中，遮罩層(124)包括多個遮罩元件，并且所述方法進一步包括：將所述多個遮罩元件的總表面面積選擇為小于初始襯底(102)的剩余部分(102')的暴露表面(120)的總表面面積的百分之七十五。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的形成半導體結構的方法，其中，將最終襯底(132)附接至高電阻率層(136)包括將最終襯底(132)附接至所述多個穿孔(128)，所述多個穿孔形成在最終襯底(132)與器件層(100)之間的多個空腔(134)。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的形成半導體結構的方法，進一步包括在所述多個穿孔(128、228)上形成高電阻率材料(238)。

6.根據權利要求5所述的形成半導體結構的方法，進一步包括將高電阻率材料(238)選擇為包括氧化硅、氮化硅、高電阻率聚合物、聚酰亞胺或陶瓷膠中的至少一種。

7.一種半導體結構(140、240)，包括：

最終襯底(132、232)；

高電阻率層(136、236)，其設置在最終襯底(132、232)上；高電阻率層(136、236)包括：初始襯底(102)的剩余部分(102'、202')，

以及多個穿孔(128、228)，其延伸通過所述剩余部分(102'、202')，

以及射頻電子器件層(100、200)，其設置在高電阻率層(136、236)上，

其中，高電阻率層(136、236)包括平均電阻率大于10000Ohm·cm的層。

8.根據權利要求7所述的半導體結構(140)，其中，高電阻率層(136)包括初始襯底(102)的剩余部分(102')以及由多個穿孔(128)和附接在多個穿孔(128)上的最終襯底(132)形成的多個空腔(134)。

9.根據權利要求7所述的半導體結構(240)，其中，高電阻率層(236)進一步包括設置在多個穿孔(228)上的高電阻率材料(238)。

10.根據權利要求9所述的半導體結構(240)，其中，高電阻率材料(238)包括氧化硅、氮化硅、高電阻率聚合物、聚酰亞胺或陶瓷膠中的一種或多種。