[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710022300.3
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN107039533B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 花田明纮;渡壁創;渡部一史
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

本實施方式提供一種半導體裝置，具備：絕緣基板；位于所述絕緣基板的上方的硅制的第一半導體層；位于比所述第一半導體層靠上方的位置的金屬氧化物制的第二半導體層；位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的硅氮化物制的第一絕緣膜；以及位于所述第一絕緣膜與所述第二半導體層之間、且與所述第一絕緣膜相比氫的擴散性更低的阻擋層。

與相關申請的關聯

本申請基于2016年1月15日在日本提出申請的No.2016-006123號主張優先權，在此援引其全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置。

背景技術

薄膜晶體管根據使用于半導體層的材料的不同而顯示出各種特性。例如，在將低溫多晶硅半導體使用于半導體層的情況下，能夠得到可靠性良好的薄膜晶體管。另外，在將氧化物半導體使用于半導體層的情況下，能夠得到截止電流小的薄膜晶體管。在將具有多晶硅半導體層的薄膜晶體管與具有氧化物半導體層的薄膜晶體管制作在同一基板上的情況下，由于從多晶硅半導體層向氧化物半導體層的氫擴散，存在氧化物半導體層低電阻化而無法得到所希望的特性的隱患。

發明內容

本實施方式提供一種半導體裝置，具備：絕緣基板；硅制的第一半導體層，位于所述絕緣基板的上方；金屬氧化物制的第二半導體層，位于比所述第一半導體層靠上方的位置；硅氮化物制的第一絕緣膜，位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；以及阻擋層，位于所述第一絕緣膜與所述第二半導體層之間，與所述第一絕緣膜相比氫的擴散性更低。

根據本實施方式，能夠提供一種可抑制可靠性的降低的半導體裝置。

附圖說明

圖1是示出本實施方式所涉及的半導體裝置的結構的剖面圖。

圖2是示出阻擋層被圖案化了的變形例的結構的剖面圖。

圖3是示出阻擋層的位置不同的變形例的結構的剖面圖。

圖4是示出阻擋層被圖案化了的變形例的結構的剖面圖。

圖5是示出薄膜晶體管TR2采用頂柵構造的變形例的結構的剖面圖。

圖6是示出阻擋層被圖案化了的圖5的變形例的結構的剖面圖。

圖7是示出阻擋層的位置不同的圖5的變形例的結構的剖面圖。

圖8是示出阻擋層被圖案化了的圖5的變形例的結構的剖面圖。

圖9是示出具備本實施方式所涉及的半導體裝置的顯示裝置的結構的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖說明本實施方式。需要說明的是，本發明的公開內容僅是一個例子，本領域技術人員針對保留了本發明的主旨的適當變更而容易想到的方案當然也包含于本發明的范圍。另外，附圖用于使說明更清楚，與實際的方式相比，存在示意性地表示各部分的寬度、厚度、形狀等的情況，但也僅僅是一個例子，不用于限定本發明的解釋。另外，在本說明書與各附圖中，對發揮與在先的附圖相同或者類似的功能的結構要素標注相同的附圖標記，適當省略重復的詳細說明。

需要說明的是，在本實施方式的說明中，上(或者上方)相當于方向Z的箭頭朝向，下(或者下方)相當于與方向Z的箭頭相反的朝向。

圖1是示出本實施方式所涉及的半導體裝置的結構的剖面圖。圖示的半導體裝置1是具備多個薄膜晶體管(TFT；Thin Film Transistor)TR1及TR2的TFT基板。