[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710022300.3
• 申請(qǐng)日: 2017-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN107039533B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 花田明纮;渡壁創(chuàng);渡部一史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日本顯示器
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

絕緣基板；

硅制的第一半導(dǎo)體層，位于所述絕緣基板的上方；

金屬氧化物制的第二半導(dǎo)體層，位于比所述第一半導(dǎo)體層靠上方的位置；

硅氮化物制的第一絕緣膜，位于所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間；以及

阻擋層，位于所述第一絕緣膜與所述第二半導(dǎo)體層之間，與所述第一絕緣膜相比氫的擴(kuò)散性更低，

在所述第一絕緣膜與所述阻擋層之間具備硅氧化物制的第二絕緣膜，

所述阻擋層由包含金屬氧化物的材料形成，形成為不與所述第一半導(dǎo)體層對(duì)置、而是與所述第二半導(dǎo)體層的整個(gè)面對(duì)置的島狀，并且由比所述第二半導(dǎo)體層的面積大的面積形成，

所述第二半導(dǎo)體層與所述阻擋層的上表面接觸，

所述第二絕緣膜與所述阻擋層的下表面接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體裝置還具備：

第一柵電極，與所述第一半導(dǎo)體層對(duì)置；以及

第二柵電極，位于與所述第一柵電極相同的層上，與所述第二半導(dǎo)體層對(duì)置，并利用與所述第一柵電極相同的材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體裝置具備：

第一柵電極，與所述第一半導(dǎo)體層對(duì)置；以及

第二柵電極，與所述第二半導(dǎo)體層對(duì)置，利用與所述第一柵電極相同的材料形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體裝置還在所述第一半導(dǎo)體層與所述第一絕緣膜之間具備硅氧化物制的層間絕緣膜，

所述層間絕緣膜分別與所述第一半導(dǎo)體層的上表面以及所述第一絕緣膜的下表面接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第一柵電極與所述層間絕緣膜的上表面接觸，且被所述第一絕緣膜覆蓋，

所述第二柵電極與所述層間絕緣膜的上表面接觸，且被所述第一絕緣膜覆蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述硅是多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第二半導(dǎo)體層的金屬氧化物含有銦、鎵、鋅、錫中的至少一種金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述阻擋層是氧化鋁制。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體裝置內(nèi)置于顯示面板，該顯示面板具有顯示圖像的顯示區(qū)域、以及位于所述顯示區(qū)域的周圍的非顯示區(qū)域，其中，

具有所述第一半導(dǎo)體層的第一薄膜晶體管位于所述非顯示區(qū)域，構(gòu)成控制朝向所述顯示區(qū)域的電信號(hào)供給的驅(qū)動(dòng)電路，

具有所述第二半導(dǎo)體層的第二薄膜晶體管位于所述顯示區(qū)域，構(gòu)成控制像素的亮度的轉(zhuǎn)換元件。