[發明專利]曝光裝置

有效

• 申請號: 201710020518.5
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN107039226B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 濱口新一;田中仁;得能敦;小島信一;山田章夫
• 申請（專利權）人: 株式會社愛德萬測試
• 主分類號: H01J37/06
• 分類號: H01J37/06;H01J37/12;H01J37/147;H01J37/22;G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發明提供一種曝光裝置。一種曝光裝置(100)，其具有形成試樣上的照射位置不同的多個帶電粒子束的形成部(122)，形成部(122)具有：粒子源(20)，其從在長邊方向和與該長邊方向垂直的短邊方向上具有不同寬度的放射區域(21)放射帶電粒子束；孔徑陣列元件(60)，其在長邊方向和與該長邊方向垂直的短邊方向上具有不同寬度的被照明區域(61)上配置有多個開口(62)；照明透鏡(30、50)，其設置于粒子源(20)與孔徑陣列元件(60)之間；以及束截面變形元件(40)，其設置于粒子源(20)與孔徑陣列元件(60)之間，通過磁場或電場的作用使帶電粒子束的截面形狀變形成各向異性的形狀。

技術領域

本發明涉及使用帶電粒子束的曝光裝置。

背景技術

以往，公知有在用線寬為十幾nm左右的光曝光技術形成的簡單的線性圖案中利用使用了電子束等帶電粒子束的曝光技術進行加工，由此形成微小的電路圖案的互補的光刻技術(complementary lithography)(專利文獻1)。

另外，也公知有使用了在一維方向上配置的陣列束的多束曝光技術(專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2013-16744號公報

專利文獻2：日本特開2015-133400號公報

發明內容

為了進一步提高曝光裝置的處理能力(生產率)，優選使構成陣列束的束各自的電流值增加。

但是，已知當使用以往的曝光裝置形成一維方向上配置的陣列束(參照專利文獻2)時，構成陣列束的束各自的電流值不足以以實用的速度進行曝光。

因此，本發明的目的在于提供一種具有能夠使構成陣列束的束各自的電流值增加的束形成單元的曝光裝置。

在以下公開的一個方式中，提供一種曝光裝置，該曝光裝置具有形成試樣上的照射位置不同的多個帶電粒子束的形成部，其中，形成部具有：粒子源，其從在長邊方向和與該長邊方向垂直的短邊方向上具有不同寬度的放射區域放射帶電粒子束；孔徑陣列元件，其在長邊方向和與該長邊方向垂直的短邊方向上具有不同寬度的被照明區域上配置有多個開口；照明透鏡，其設置于粒子源與孔徑陣列元件之間；以及束截面變形元件，其設置于粒子源與孔徑陣列元件之間，通過磁場或電場的作用，使帶電粒子束的截面形狀變形為與所述放射區域相比更細長地拉伸的形狀。

另外，在上述的曝光裝置中，粒子源還可以具有：陰極部，其在末端具有在長邊方向和與該長邊方向垂直的短邊方向上具有不同寬度的帶電粒子的產生部；以及控制電極，其具有在長邊方向和與該長邊方向垂直的短邊方向上的寬度不同的開口，照明透鏡由配置位置不同的至少兩個軸對稱的帶電粒子束透鏡構成，束截面變形元件設置于由照明透鏡形成放射區域的像的位置處。

根據上述曝光裝置，因為構成陣列束的束各自的電流值增加，因此其處理能力提高。

此外，上述發明的概要并未列舉被包含于以下公開內容的全部特征。另外，與包含于以下的公開內容的特征組的子組合也能夠另外成為發明。

附圖說明

圖1是示出第1實施方式的曝光裝置的結構的框圖。

圖2是示出圖1的曝光裝置使陣列束進行掃描而在試樣的表面上形成的可照射區域的俯視圖。

圖3是對圖1的曝光裝置的孔徑陣列元件的一部分進行放大而示出的圖。

圖4的(A)是示出圖1的形成部的YZ面內方向上的電子束的軌道的圖，圖4的(B)是示出圖1的形成部的XZ面內方向上的結構例和電子束的軌道的圖。

圖5是示出圖1的電子源和電子源控制部的圖。