[發(fā)明專利]白光OLED器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710019992.6
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN106848091A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝再鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種白光OLED器件。

【背景技術(shù)】

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)裝置可以作為顯示裝置及照明裝置的發(fā)光來源，具有廣視角、響應(yīng)時間短、輕薄和實現(xiàn)任意彎曲的優(yōu)點。

OLED發(fā)光器件內(nèi)部產(chǎn)生的光在OLED內(nèi)部傳播時，由于不同材料的光學(xué)系數(shù)不同，在各種材料界面會有反射以及折射，且當(dāng)界面入射光角度太大時會形成全反射。傳統(tǒng)OLED器件中存在包括表面等離子體激元SPP，襯底波導(dǎo)模式，ITO/有機層波導(dǎo)模式和金屬電極吸收等多種能量耗損模式。由于金屬電極與有機材料(介質(zhì)材料)界面的SPP效應(yīng)，發(fā)光層出射的總光通量中接近40％轉(zhuǎn)化為非輻射模式而耗散。在OLED器件中，有機層(折射率n＝1.7)被ITO(折射率n＝1.8)玻璃(折射率n＝1.5)襯底和高反射金屬電極夾在中間。根據(jù)Snell定律，折射率的差異會導(dǎo)致ITO/玻璃界面和玻璃/空氣界面出現(xiàn)全反射。因此，大約有23％的總光通量被限制在玻璃襯底內(nèi)(襯底波導(dǎo)模式)，約15％的總光通量被限制在ITO/有機層內(nèi)(ITO/有機波導(dǎo)模式)。此外，還有約4％的總光通量被金屬電極吸收。所以，傳統(tǒng)OLED器件的出光效率只有18％左右，從而阻礙獲得高外量子效率的OLED。即便對于內(nèi)量子效率(internal quantum efficiency，IQE)接近100％的磷光OLED器件，其外量子效率(External quantum efficiency，EQE)也至多只有18％；而對于自旋因子只有25％的熒光OLED器件，其EQE至多也只達到4.5％。

為了提高OLED器件的出光率，三星、LG、上海天馬、華星光電、京東方等且均采用Fabry-Perot(F-P)微腔技術(shù)來獲得高光學(xué)特性。一般而言，經(jīng)過微腔技術(shù)調(diào)控的OLED發(fā)光光譜會變窄，色純度變高。然而，微腔效應(yīng)的弊端之一是光譜峰位受到影響的因素太多，峰位受到微腔光學(xué)長度L以及鏡面反射率影響，造成實際工程中的工藝窗口太小。例如，當(dāng)保持OLED有機膜厚度不變時，ITO厚度變化1nm，就會引起OLED發(fā)光光譜峰值位移1.52nm；當(dāng)ITO保持不變時，OLED有機膜厚度變化1nm，就會引起OLED發(fā)光光譜位移0.9nm。為保證光譜峰位不變，需要嚴(yán)格控制ITO或OLED有機膜的厚度，但1nm的ITO或者OLED有機膜工藝很難控制不變；同理，ITO或有機膜稍微變化1nm，光譜就偏了。

因此，有必要提供一種新的工藝解決上述技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的是克服上述技術(shù)問題，提供一種發(fā)光效率高的白光OLED器件。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種白光OLED器件，包括依次沉積形成的第一導(dǎo)電層、空穴傳輸部、發(fā)光層、電子傳輸部及第二導(dǎo)電層，所述白光OLED器件還包括形成于所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的第一等離子增強熒光層和第二等離子增強熒光層。

優(yōu)選的，所述第一等離子增強熒光層和所述第二等離子增強熒光層的材料為納米金屬粒子。

優(yōu)選的，所述納米金屬粒子元素選自金、銀、銅、鋁、鋅、鉻、鉑中的至少一種。

優(yōu)選的，所述第一等離子增強熒光層和所述第二等離子增強熒光層的材料為金納米粒子，其粒徑為1-60nm。

優(yōu)選的，所述第一等離子增強熒光層到所述發(fā)光層的界面的距離D(M1-EML)和所述第二等離子增強熒光層到所述發(fā)光層的界面的距離D(M2-EML)滿足以下條件：D(EML)+D(M1-EML)≤140nm，D(EML)+D(M2-EML)≤140nm，其中，D(EML)表示所述發(fā)光層的厚度。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸部包括空穴注入層和沉積于所述空穴注入層表面的空穴傳輸層，所述電子傳輸部包括電子傳輸層和沉積于所述電子傳輸層表面的電子注入層，所述第一等離子增強熒光層嵌設(shè)于所述空穴注入層，所述第二等離子增強熒光層嵌設(shè)于所述電子傳輸層。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸部包括空穴注入層和沉積于所述空穴注入層表面的空穴傳輸層，所述第一等離子增強熒光層嵌設(shè)于所述空穴注入層，所述第二等離子增強熒光層嵌設(shè)于所述空穴傳輸層。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸部包括空穴注入層和沉積于所述空穴注入層表面的空穴傳輸層，所述電子傳輸部包括電子傳輸層和沉積于所述電子傳輸層表面的電子注入層，所述第一等離子增強熒光層嵌設(shè)于所述空穴傳輸層，所述第二等離子增強熒光層嵌設(shè)于所述電子注入層。