[發(fā)明專利]白光OLED器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710019992.6 | 申請日： | 2017-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN106848091A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝再鋒 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞聲科技（南京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210093 江蘇省南京市鼓樓區(qū)青島路3*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 白光 oled 器件 | ||
1.一種白光OLED器件，包括依次沉積形成的第一導(dǎo)電層、空穴傳輸部、發(fā)光層、電子傳輸部及第二導(dǎo)電層，其特征在于，所述白光OLED器件還包括形成于所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的第一等離子增強(qiáng)熒光層和第二等離子增強(qiáng)熒光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光OLED器件，其特征在于，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層和所述第二等離子增強(qiáng)熒光層的材料為納米金屬粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光OLED器件，其特征在于，所述納米金屬粒子元素選自金、銀、銅、鋁、鋅、鉻、鉑中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的白光OLED器件，其特征在于，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層和所述第二等離子增強(qiáng)熒光層的材料為金納米粒子，其粒徑為1-60nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的白光OLED器件，其特征在于，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層到所述發(fā)光層的界面的距離D(M1-EML)和所述第二等離子增強(qiáng)熒光層到所述發(fā)光層的界面的距離D(M2-EML)滿足以下條件：D(EML)+D(M1-EML)≤140nm，D(EML)+D(M2-EML)≤140nm，其中，D(EML)表示所述發(fā)光層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸部包括空穴注入層和沉積于所述空穴注入層表面的空穴傳輸層，所述電子傳輸部包括電子傳輸層和沉積于所述電子傳輸層表面的電子注入層，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述空穴注入層，所述第二等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述電子傳輸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸部包括空穴注入層和沉積于所述空穴注入層表面的空穴傳輸層，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述空穴注入層，所述第二等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述空穴傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸部包括空穴注入層和沉積于所述空穴注入層表面的空穴傳輸層，所述電子傳輸部包括電子傳輸層和沉積于所述電子傳輸層表面的電子注入層，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述空穴傳輸層，所述第二等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述電子注入層。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸部包括依次沉積形成的電子傳輸層和電子注入層，所述第一等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述電子注入層，所述第二等離子增強(qiáng)熒光層嵌設(shè)于所述電子傳輸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光OLED器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層材料為ITO、IGO、IGZO、石墨烯、銀納米管、碳納米管、金屬金、金屬鉑或金屬網(wǎng)格中的至少一種；所述第二導(dǎo)電層材料為Al、Mg、Ag中的至少一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
