[發明專利]包括薄膜晶體管陣列面板的顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201710019900.4 | 申請日: | 2017-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN106960850B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 徐泰安;裴水斌;丁有光;趙炫珉;崔新逸;崔溱桓 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;陳曉博 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 薄膜晶體管 陣列 面板 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
公開了一種包括TFT陣列面板的顯示裝置及其制造方法。所述顯示裝置的TFT陣列面板包括:第一基底;第一電極,設置在第一基底上;第一絕緣層,包括第一孔,第一絕緣層設置在第一電極上;第二絕緣層,設置在第一絕緣層上并且包括與第一孔對應的第二孔;以及蓋層,包括第一內部部分,蓋層設置在形成第二孔的內側表面上,其中,第一內部部分的設置在第二孔中的端部與第一電極分開。
本申請要求于2016年1月11日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0003082號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
本公開涉及一種包括薄膜晶體管陣列面板的顯示裝置及其制造方法。
背景技術
包括在諸如顯示裝置的各種電子裝置中的晶體管包括被提供柵極信號的柵電極、被提供電壓的源電極、面對源電極的漏電極以及電連接到源電極和漏電極的半導體。
當晶體管是包括設置在基底上的多個薄膜的薄膜晶體管(TFT)時,絕緣層設置在TFT的電極層之間和TFT上。這樣的絕緣層可以包括無機絕緣材料和有機絕緣材料中的至少一種。設置在TFT的電極層之間的絕緣層通常包括無機絕緣材料。
對于將要從信號線或諸如另一TFT的電子元件提供電壓或者將電壓傳輸到信號線或諸如另一TFT的電子元件的TFT的每個電極,設置在TFT的電極層之間或TFT上的絕緣層包括用于連接設置在彼此不同的層處的電極的接觸孔。
在該背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對發明的背景的理解,因此,它可能包含不構成在本國已被本領域普通技術人員所知曉的現有技術的信息。
發明內容
在設置在TFT的電極之間的絕緣層中形成接觸孔的制造工藝中,如果相對于基底設置在TFT上以覆蓋TFT的絕緣層的材料的至少一部分與設置在TFT的電極之間的絕緣層的材料不同,那么覆蓋TFT的絕緣層的一部分也被去除以暴露TFT的電極。因此,在TFT的暴露的電極上會剩余一層。這樣的剩余層增大了接觸孔處的接觸電阻,導致TFT的特性的劣化。另外,如果覆蓋TFT的絕緣層的一部分變薄,那么會暴露TFT的電極并且會發生短路。
具體地,在覆蓋TFF的絕緣層包括有機絕緣材料的情況下,由有機材料的剩余層產生的影響會更加嚴重。
因此,本公開的實施例旨在防止在TFT陣列面板的制造工藝期間設置在TFT上的絕緣層的損失,特別是包括有機絕緣材料的絕緣層的損失,因此,以防止在絕緣層的接觸孔處的接觸電阻的增大和TFT的特性的劣化。
本公開的實施例還旨在防止在相對于TFT上的絕緣層的上方和下方設置的電極之間的短路。
實施例提供了一種包括TFT陣列面板的顯示裝置,TFT陣列面板包括:第一基底;第一電極,設置在第一基底上;第一絕緣層,包括第一孔,第一絕緣層設置在第一電極上;第二絕緣層,設置在第一絕緣層上并且包括與第一孔對應的第二孔;以及蓋層,包括第一內部部分,蓋層設置在形成第二孔的內側表面上,其中,第一內部部分的設置在第二孔中的端部與第一電極分開。
第二孔的平面尺寸可以大于第一孔的平面尺寸。
蓋層可以包括設置在第二絕緣層的上表面上并且與第一內部部分連接的上部部分。
TFT陣列面板還可以包括設置在蓋層上并且通過第一孔和第二孔與第一電極連接的導體。
上部部分包括與導體疊置的至少一部分以及不與導體疊置的部分。
TFT陣列面板還可以包括設置在第一絕緣層與第二絕緣層之間并且包括與第一孔和第二孔對應的第三孔的第三絕緣層以及設置在第一絕緣層和第三絕緣層之間的第二電極,其中,第三絕緣層還包括設置在第二電極上的第四孔,其中,第二絕緣層還包括與第四孔對應的第五孔,其中,蓋層還包括位于形成第五孔的內側表面上的第二內部部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





