[發明專利]一種半導體器件及其制作方法有效
| 申請號: | 201710019827.0 | 申請日: | 2017-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN106707715B | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發明(設計)人: | 張學軍;張志宇;薛棟林;王孝坤;程強 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | G03H1/04 | 分類號: | G03H1/04;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 130033 吉林省長春市*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體器件 及其 制作方法 | ||
本申請提供一種半導體器件及其制作方法,在形成刻蝕膜之前增加一層截止膜,截止膜的刻蝕速率低于刻蝕膜的速率。在對刻蝕膜進行刻蝕時,刻蝕速率快的部分,刻蝕膜首先被刻蝕完成,此時開始刻蝕截止膜;而刻蝕速率較小的部分繼續刻蝕刻蝕膜,由于截止膜的刻蝕速率低于刻蝕膜的刻蝕速率,因此,刻蝕膜被刻蝕較快的部分在截止膜部分等待刻蝕較慢的部分到達截止膜。當刻蝕較慢的刻蝕膜被刻蝕掉時,結束整個刻蝕加工過程,以形成計算全息圖。本發明提供的半導體器件制作方法中將刻蝕膜的刻蝕深度均勻性轉化為刻蝕膜的生長均勻性,刻蝕膜的生長均勻性相對于刻蝕膜的刻蝕深度均勻性更容易實現,從而降低了半導體器件的制作工藝對刻蝕設備精度的要求。
技術領域
本發明屬于空間光學系統先進制造技術領域,涉及一種半導體器件及其制作方法。
背景技術
大口徑復雜曲面(非球面、離軸非球面、自由曲面等)反射鏡是空間對地高分辨率光學遙感器的核心元件。由于面形精度要求極高,復雜曲面反射鏡的加工、檢測都面臨巨大挑戰。其加工和檢測水平是光學制造能力的重要體現。
光學復雜曲面的面形誤差檢測方法主要是衍射光學補償法。衍射式補償法采用計算全息圖(Computer Generated Hologram,CGH)作為補償器。和傳統補償器相比,CGH檢測方法理論上可產生任意波前,同時具有設計殘差小、結構簡單、無組裝誤差、制作周期短、設計靈活等優點。
根據制作工藝不同,CGH可分為振幅型和位相型兩種。振幅型CGH所使用衍射級次的衍射效率較低,僅適用于檢測表面粗糙度很好的拋光表面。而位相型CGH所使用衍射級次的衍射效率能達到40%以上,因而較振幅型CGH具有更大的應用范圍。但位相型CGH的制作工藝對設備精度要求較高。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種半導體器件及其制作方法,以解決現有技術中位相型CGH的制作工藝對設備精度要求較高的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種半導體器件的制作方法,包括:
提供基板;
在所述基板的一個表面形成截止膜;
在所述截止膜背離所述基板的表面制作形成刻蝕膜;
對所述刻蝕膜進行刻蝕,以形成計算全息圖;
其中,所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率。
優選地,所述截止膜的刻蝕速率與所述刻蝕膜的刻蝕速率比小于1/100。
優選地,所述在所述基板的一個表面形成截止膜具體為:
采用熱蒸發工藝、磁控濺射工藝或化學氣相沉積工藝在所述基板的一個表面形成截止膜。
優選地,所述對所述刻蝕膜進行刻蝕,以形成計算全息圖,具體包括:
在所述刻蝕膜表面形成光刻膠層;
在所述光刻膠層上進行曝光;
對所述光刻膠層進行顯影,形成計算全息圖形;
對所述計算全息圖形對應的刻蝕膜進行刻蝕;
清洗所述刻蝕膜的表面,去除殘留光刻膠,以形成計算全息圖。
優選地,所述在所述光刻膠層上進行曝光具體為:
改變激光直寫機的光刻物鏡與待加工半導體器件表面之間的距離,并調整所述激光直寫機中相應的光路,采用所述激光直寫機在所述光刻膠層上進行曝光。
優選地,所述對所述計算全息圖形對應的刻蝕膜進行刻蝕具體為:
采用反應離子刻蝕技術對所述計算全息圖形對應的刻蝕膜進行刻蝕。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,未經中國科學院長春光學精密機械與物理研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710019827.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種物流設備的升降裝置及其工作方法
- 下一篇:一種抓取器





