[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201710019827.0
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN106707715B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 張學軍;張志宇;薛棟林;王孝坤;程強
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: G03H1/04
• 分類號: G03H1/04;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的一個表面形成截止膜；

在所述截止膜背離所述基板的表面制作形成刻蝕膜；

對所述刻蝕膜進行刻蝕，以形成計算全息圖；

其中，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率；

所述截止膜的刻蝕速率與所述刻蝕膜的刻蝕速率比小于1/100。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述基板的一個表面形成截止膜具體為：

采用熱蒸發工藝、磁控濺射工藝或化學氣相沉積工藝在所述基板的一個表面形成截止膜。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述對所述刻蝕膜進行刻蝕，以形成計算全息圖，具體包括：

在所述刻蝕膜表面形成光刻膠層；

在所述光刻膠層上進行曝光；

對所述光刻膠層進行顯影，形成計算全息圖形；

對所述計算全息圖形對應的刻蝕膜進行刻蝕；

清洗所述刻蝕膜的表面，去除殘留光刻膠，以形成計算全息圖。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻膠層上進行曝光具體為：

改變激光直寫機的光刻物鏡與待加工半導體器件表面之間的距離，并調整所述激光直寫機中相應的光路，采用所述激光直寫機在所述光刻膠層上進行曝光。

5.根據權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述對所述計算全息圖形對應的刻蝕膜進行刻蝕具體為：

采用反應離子刻蝕技術對所述計算全息圖形對應的刻蝕膜進行刻蝕。

6.一種半導體器件，其特征在于，采用權利要求1-5任意一項所述的半導體器件的制作方法制作形成，所述半導體器件包括：

基板；

位于所述基板的一個表面的截止膜；

位于所述截止膜背離所述基板表面的刻蝕膜，所述刻蝕膜包括鏤空區和非鏤空區，所述非鏤空區為計算全息圖形；

其中，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率；

所述截止膜的刻蝕速率與所述刻蝕膜的刻蝕速率比小于1/100。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，

所述截止膜的材料為五氧化二鉭或者二氧化鈦。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，

所述截止膜的厚度小于等于30nm，大于0nm。