[發明專利]一種用于DRAM的帶VDD自補償DLL反饋電路系統有效

申請號：	201710018627.3	申請日：	2017-01-10
公開（公告）號：	CN106898374B	公開（公告）日：	2020-06-30
發明（設計）人：	王嵩	申請（專利權）人：	西安紫光國芯半導體有限公司
主分類號：	G11C11/4076	分類號：	G11C11/4076;G11C7/22
代理公司：	西安智邦專利商標代理有限公司 61211	代理人：	胡樂
地址：	710055 陜西省西安***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種用于 dram vdd 補償 dll 反饋電路系統
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【權利要求書】：

1.一種用于DRAM的帶VDD自補償DLL反饋電路系統，包括反饋電路，所述反饋電路的輸出信號經過邏輯運算后作用于DLL延遲鏈；其特征在于：

DRAM自帶的Zq校準信號與數字解碼電路中設定的熔絲配置編碼通過邏輯運算生成對反饋電路的延遲增減控制位信號；所述延遲增減控制位信號對反饋電路的延遲進行補償控制；

所述設定的熔絲配置編碼是根據實際測試的VDD依賴曲線的斜率來決定補償的程度。

2.根據權利要求1所述的用于DRAM的帶VDD自補償DLL反饋電路系統，其特征在于：所述延遲增減控制位信號的生成是由數字解碼電路實現，設校準結果的范圍為1～M，延遲增減控制位信號的調節檔位為+/-N步，則數字解碼電路由2N個比較器構成，所述設定的熔絲配置編碼是與校準結果的最大值M和輸出延遲控制位的位數2N有關的函數，2N個比較器產生的2N位二進制碼經譯碼即為延遲增減控制位信號的調節檔位。

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