[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710017588.5
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN107039436B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 崔成賢;卓容奭;樸起寬;具本榮;樸起演;徐元吾
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;崔卿虎

本申請公開了一種半導體器件及其制造方法以及半導體結構。所述半導體器件包括：襯底上的有源鰭；有源鰭上的柵極結構；柵極結構的側壁上的柵極間隔件結構；以及在有源鰭鄰近柵極間隔件結構的至少一部分上的源極/漏極層。所述柵極間隔件結構包括順序地堆疊的濕法刻蝕停止圖案、含氧硅圖案和除氣阻止圖案。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年1月11日提交至韓國知識產權局(KIPO)的韓國專利申請No.10-2016-0003213的優先權，該申請的全部內容以引用方式并入本文中。

技術領域

示例實施例涉及半導體器件及其制造方法。更具體地，示例實施例涉及包括位于柵極結構的側壁上的間隔件的半導體器件及其制造方法。

背景技術

在制造鰭形場效應晶體管(finFET)時，可在偽柵極上形成間隔件層，可對該間隔件層進行各向異性刻蝕以形成位于偽柵極的側壁上的間隔件，可利用偽柵極和間隔件作為刻蝕掩模對有源鰭鄰近偽柵極的上部進行刻蝕來形成凹進，并且可執行選擇性外延生長(SEG)工藝來在凹進中形成源極/漏極層。可去除偽柵極來形成開口，并且可在開口中形成柵極結構。間隔件可包括用于執行各種刻蝕處理和SEG工藝的適當的材料。

發明內容

示例實施例提供一種具有改善的特性的半導體器件。

示例實施例提供一種制造具有改善的特性的半導體器件的方法。

根據示例實施例，一種半導體器件包括：襯底上的有源鰭；有源鰭上的柵極結構；柵極結構的側壁上的柵極間隔件結構；以及在有源鰭鄰近柵極間隔件結構的至少一部分上的源極/漏極層。柵極間隔件結構可包括堆疊(例如，順序地堆疊)的濕法刻蝕停止圖案、含氧硅圖案和除氣(outgassing)阻止圖案。

根據示例實施例，一種半導體器件包括：分別在襯底的第一區和第二區上的第一有源鰭和第二有源鰭；分別在第一有源鰭和第二有源鰭上的第一柵極結構和第二柵極結構；第一柵極結構的側壁上的第一柵極間隔件結構；第二柵極結構的側壁上的第二柵極間隔件結構；在第一有源鰭鄰近第一柵極間隔件結構的至少一部分上的第一源極/漏極層；以及在第二有源鰭鄰近第二柵極間隔件結構的至少一部分上的第二源極/漏極層。第一柵極間隔件結構可包括堆疊(例如，順序地堆疊)的第一濕法刻蝕停止圖案、第一含氧硅圖案和第一除氣阻止圖案，并且第二柵極間隔件結構可包括堆疊(例如，順序地堆疊)的第二濕法刻蝕停止圖案、第二含氧硅圖案和第二除氣阻止圖案。

根據示例實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，其中，可在襯底上形成隔離圖案以在襯底上限定有源鰭。可在有源鰭上形成偽柵極結構。可在偽柵極結構的側壁上形成柵極間隔件結構，其包括堆疊(例如，順序地堆疊)的濕法刻蝕停止圖案、含氧硅圖案和除氣削減或阻止圖案。可利用偽柵極結構和柵極間隔件結構作為刻蝕掩模去除有源鰭的上部，以在有源鰭上形成凹進。可執行選擇性外延生長(SEG)工藝以在凹進中形成源極/漏極層。可用柵極結構置換偽柵極結構。

根據示例實施例，提供了一種制造半導體器件的方法。在該方法中，可在襯底上形成隔離圖案，以在襯底的第一區和第二區上分別限定第一有源鰭和第二有源鰭。可分別在第一有源鰭和第二有源鰭上形成第一偽柵極結構和第二偽柵極結構。可在第一偽柵極結構的側壁上形成包括堆疊(例如，順序地堆疊)的第一濕法刻蝕停止圖案、第一含氧硅圖案和第一除氣削減或阻止圖案的第一柵極間隔件結構。可執行第一選擇性外延生長(SEG)工藝來在第一有源鰭鄰近第一柵極間隔件結構的至少一部分上形成第一源極/漏極層。可在第二偽柵極結構的側壁上形成包括堆疊(例如，順序地堆疊)的第二濕法刻蝕停止圖案、第二含氧硅圖案和第二除氣削減或阻止圖案的第二柵極間隔件結構。可執行第二選擇性外延生長(SEG)工藝來在第二有源鰭鄰近第二柵極間隔件結構的至少一部分上形成第二源極/漏極層。可用第一柵極結構和第二柵極結構分別置換第一偽柵極結構和第二偽柵極結構。