[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710017588.5
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN107039436B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 崔成賢;卓容奭;樸起寬;具本榮;樸起演;徐元吾
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;崔卿虎

1.一種半導體器件，包括：

襯底上的有源鰭；

有源鰭上的柵極結構；

柵極結構的側壁上的柵極間隔件結構，所述柵極間隔件結構包括順序地堆疊的濕法刻蝕停止圖案、含氧硅圖案和除氣阻止圖案；

擴散阻止圖案，所述擴散阻止圖案與有源鰭的上表面和濕法刻蝕停止圖案的底部直接接觸，所述擴散阻止圖案的上表面具有與濕法刻蝕停止圖案的底部相等或比濕法刻蝕停止圖案的底部更小的面積，并且所述擴散阻止圖案構造為阻止濕法刻蝕停止圖案的成分擴散到有源鰭中；以及

在有源鰭鄰近柵極間隔件結構的至少一部分上的源極/漏極層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，濕法刻蝕停止圖案和除氣阻止圖案分別包括碳氮化硅和氮化硅。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，含氧硅圖案包括氧碳氮化硅、二氧化硅和/或氮氧化硅。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，含氧硅圖案包括氧碳氮化硅，并且其中，除氣阻止圖案阻止含氧硅圖案的成分除氣。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，濕法刻蝕停止圖案和含氧硅圖案中的至少一個具有沿一個方向截取的截面，該截面具有類L形狀。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，濕法刻蝕停止圖案直接接觸柵極結構的側壁。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，源極/漏極層包括硅-鍺、硅的碳化物或硅。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，有源鰭在與襯底的上表面平行的第一方向上延伸，柵極結構在與第一方向交叉的第二方向上延伸，并且柵極間隔件結構形成在柵極結構的在第一方向上相對的側壁中的至少一個上。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，除氣阻止圖案阻止含氧硅圖案的成分除氣。

10.一種半導體器件，包括：

分別在襯底的第一區和第二區上的第一有源鰭和第二有源鰭；

分別在第一有源鰭和第二有源鰭上的第一柵極結構和第二柵極結構；

第一柵極結構的側壁上的第一柵極間隔件結構，所述第一柵極間隔件結構包括順序地堆疊的第一濕法刻蝕停止圖案、第一含氧硅圖案和第一除氣阻止圖案；

第二柵極結構的側壁上的第二柵極間隔件結構，所述第二柵極間隔件結構包括順序地堆疊的第二濕法刻蝕停止圖案、第二含氧硅圖案和第二除氣阻止圖案；

在第一有源鰭鄰近第一柵極間隔件結構的至少一部分上的第一源極/漏極層；

在第二有源鰭鄰近第二柵極間隔件結構的至少一部分上的第二源極/漏極層；以及

第一擴散阻止圖案和第二擴散阻止圖案，第一擴散阻止圖案和第二擴散阻止圖案分別與第一濕法刻蝕停止圖案和第二濕法刻蝕停止圖案的上表面以及第一濕法刻蝕停止圖案和第二濕法刻蝕停止圖案的底部直接接觸，第一擴散阻止圖案和第二擴散阻止圖案構造為阻止第一濕法刻蝕停止圖案和第二濕法刻蝕停止圖案各自的成分分別擴散到第一有源鰭和第二有源鰭中，第一擴散阻止圖案的上表面和第二擴散阻止圖案的上表面分別具有小于或等于第一濕法刻蝕停止圖案的底部的面積和小于或等于第二濕法刻蝕停止圖案的底部的面積，以阻止第一擴散阻止圖案和第二擴散阻止圖案各自的成分擴散到第一有源鰭和第二有源鰭中。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，第一源極/漏極層包括硅-鍺，并且第二源極/漏極層包括硅的碳化物或硅。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，第一濕法刻蝕停止圖案和第二濕法刻蝕停止圖案包括碳氮化硅，并且第一除氣阻止圖案和第二除氣阻止圖案包括氮化硅。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，第一含氧硅圖案和第二含氧硅圖案包括氧碳氮化硅、二氧化硅和/或氮氧化硅。