[發(fā)明專利]凸塊封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710015091.X
• 申請日: 2017-01-09
• 公開（公告）號: CN108288590B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設計）人: 章國偉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種凸塊封裝方法，其特征在于，包括：

提供前端器件，在所述前端器件表面形成凸塊底部金屬層；

在所述凸塊底部金屬層上形成用于封裝的凸塊和用于提高所述凸塊均勻性的虛擬凸塊，所述虛擬凸塊與所述凸塊底部金屬層的接觸面積小于所述虛擬凸塊的截面積；

去除所述凸塊底部金屬層位于所述凸塊和虛擬凸塊底部之外的部分，同時使所述虛擬凸塊剝落。

2.根據(jù)權利要求1所述的凸塊封裝方法，其特征在于，所述虛擬凸塊的徑向尺寸小于10微米。

3.根據(jù)權利要求1所述的凸塊封裝方法，其特征在于，所述虛擬凸塊形成在所述前端器件的激光標記區(qū)和/或不完整芯片區(qū)。

4.根據(jù)權利要求1所述的凸塊封裝方法，其特征在于，所述虛擬凸塊形成在所述用于封裝的凸塊的周圍，用于提高所述凸塊的均勻性和共面性。

5.根據(jù)權利要求1-4中的任意一項所述的凸塊封裝方法，其特征在于，還包括；

在所述凸塊底部金屬層上形成光刻膠層；

通過曝光、顯影在所述光刻膠層中形成第一開口，用于暴露待形成所述凸塊區(qū)域；

通過曝光、顯影在所述光刻膠層中形成第二開口，用于暴露待形成所述虛擬凸塊區(qū)域；

進行電鍍工藝，以同時在所述第一開口中形成凸塊，在所述第二開口中形成虛擬凸塊；

去除所述光刻膠層，

其中，所述第二開口底部形成有伸出部，使得所述第二開口的底部面積小于所述第二開口的上部面積。

6.根據(jù)權利要求5所述的凸塊封裝方法，其特征在于，所述伸出部傾斜設置在所述第二開口的側(cè)壁上。

7.根據(jù)權利要求5所述的凸塊封裝方法，其特征在于，在所述光刻膠層為正性光阻時，用于形成所述第二開口的曝光能量小于用于形成所述第一開口的曝光能量；

在所述光刻膠層為負性光阻時，用于形成所述第二開口的曝光能量大于用于形成所述第一開口的曝光能量。

8.根據(jù)權利要求5所述的凸塊封裝方法，其特征在于，在所述光刻膠層為正性光阻時，用于形成所述第二開口的焦距大于用于形成所述第一開口的焦距；

在所述光刻膠層為負性光阻時，用于形成所述第二開口的焦距小于用于形成所述第一開口的焦距。

9.根據(jù)權利要求1所述的凸塊封裝方法，其特征在于，還包括：

清洗步驟，以去除殘余的虛擬凸塊。

10.根據(jù)權利要求1所述的凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊和虛擬凸塊為焊球凸塊。