[發明專利]一種用于低壓差線性穩壓器的過流保護電路

在審

• 申請號: 201710012599.4
• 申請日: 2017-01-09
• 公開（公告）號: CN106774595A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 李靖;何鳴;魏祎;寧寧
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/569
• 分類號: G05F1/569
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種用于低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，包括電流采樣電路、電流比較電路和上拉電路，

電流采樣電路，采樣低壓差線性穩壓器中功率管(M11)的柵漏電壓，并轉化為按比例鏡像的采樣電流，其輸出端輸出采樣電流至所述電流比較電路的輸入端；

電流比較電路，包括一電流源(I₀)和由第三NMOS管(M8)與第四NMOS管(M9)組成的電流鏡，所述電流比較電路將采樣電流通過電流鏡鏡像后與電流源(I₀)的電流進行比較，得到控制電壓(V_C)輸出到所述上拉電路控制上拉電路的開啟和關斷；

上拉電路，由一上拉管(M10)組成，所述上拉管(M10)為PMOS管，上拉管(M10)的柵極作為上拉電路的輸入端連接所述電流比較電路的輸出端，其漏極作為上拉電路的輸出端連接低壓差線性穩壓器功率管(M11)的柵極控制功率管(M11)的柵端電壓，其源極接電源電壓(VDD)。

2.根據權利要求1所述的用于低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述電流采樣電路包括第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)、第五PMOS管(M5)、第一NMOS管(M6)和第二NMOS管(M7)，

第一PMOS管(M1)和第二PMOS管(M2)的柵極與低壓差線性穩壓器功率管(M11)的柵極相連，其源極都接電源電壓(VDD)，第一PMOS管(M1)的漏極接第五PMOS管(M5)的源極，第二PMOS管(M2)的漏極接第三PMOS管(M3)的源極，第三PMOS管(M3)的漏極作為所述電流采樣電路的輸出端；

第四PMOS管(M4)的源極連接低壓差線性穩壓器功率管(M11)的漏極，其柵極和漏極短接并連接第三PMOS管(M3)和第五PMOS管(M5)的柵極以及第一NMOS管(M6)的漏極；

第二NMOS管(M7)的柵極與漏極短接并連接第五PMOS管(M5)的漏極和第一NMOS管(M6)的柵極，第一NMOS管(M6)和第二NMOS管(M7)的源極接地。

3.根據權利要求1所述的用于低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述第三NMOS管(M8)的漏極作為所述電流比較電路的輸入端，第三NMOS管(M8)的柵極和漏極短接并連接第四NMOS管(M9)的柵極，第四NMOS管(M9)的漏極與電流源(I₀)的一端相連并作為所述電流比較電路的輸出端，第三NMOS管(M8)和第四NMOS管(M9)的源極接地，電流源(I₀)的另一端接電源電壓(VDD)。

4.根據權利要求2所述的電流采樣電路，其特征在于，所述第一PMOS管(M1)和第二PMOS管(M2)的尺寸相同，第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)和第五PMOS管(M5)的尺寸相同，第一NMOS管(M6)和第二NMOS管(M7)的尺寸相同。

5.根據權利要求1所述的用于低壓差線性穩壓器的過流保護電路，其特征在于，所述采樣電流與流過低壓差線性穩壓器中功率管(M11)的電流之比為第二PMOS管(M2)和功率管(M11)的寬長比之比。