[發明專利]一種鑭系金屬催化劑有效
| 申請號: | 201710010628.3 | 申請日: | 2017-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN106834863B | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發明(設計)人: | 李天奇 | 申請(專利權)人: | 廣州市祺虹電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C22C28/00 | 分類號: | C22C28/00;C23C14/34;B01J23/10 |
| 代理公司: | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 張清彥 |
| 地址: | 511453 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬催化劑 | ||
本發明公開了一種鑭系金屬催化劑,組分以重量份計,包括3~20份的La、4~8份的Ce、1~6份的Yb、0~5份的Gd、0~3份的Lu、0~3份的Tb,將所有組分在真空狀態下熔煉為一體形成鑭系金屬催化劑。本發明作用于靶材上,通過與靶材基質進行熔合,催化劑中鑭系金屬的原子進入靶材基質金屬的晶格內引起較大的晶格畸變,產生畸變能,使系統能量增加,稀土原子只能向高能量的晶界富集,使系統保持最低的自由能,從而增加靶材的導電性能,降低靶材的電阻值,增強靶材的附著力,在ITO靶材以及銅銀合金靶材中加入超過0.1WT%的鑭系金屬催化劑,靶材的導電性能可提高10?15%。
技術領域
本發明涉及靶材的制造領域,特別涉及一種鑭系金屬催化劑。
背景技術
在制作透明電路板的過程中,傳統的ITO以及金屬靶材所形成的電路阻值會比較高,一般采取的是間接處理的方案,即在濺射過程中通過加厚電路的鍍層來降低電阻,該方案不僅會增加生產成本,同時改善效率不高,難以滿足目前透明電路板對阻值的要求。
因此,亟需一種能直接地從電路鍍層的材料入手,有效地降低靶材的電阻,從而在透明電路板制作的過程中,在不增加電路鍍層的厚度的基礎上使用電路板能滿足低電阻的要求。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種鑭系金屬催化劑,該催化劑有利于提高靶材的導電性能以及與濺射基質的附著性能。
為了解決上述技術問題,本發明的技術方案為:一種鑭系金屬催化劑,組分以重量份計,包括3~20份的La、4~8份的Ce、1~6份的Yb、0~5份的Gd、0~3份的Lu、0~3份的Tb,將所有組分在真空狀態下熔煉為一體,即形成鑭系金屬催化劑。
優選地,以重量份計,包括3~6份的La、4~8份的Ce、1~5份的Yb。
優選地,以重量份計,包括5~20份的La、5~8份的Ce、1~3份的Yb、2~5份Gd、1~3份Lu。
優選地,以重量份計,包括10~20份的La、5~8份的Ce、2~6份的Yb、2~5份的Gd、1~3份的Lu、1~3份的Tb。
本發明作用于靶材上,通過與靶材基質進行熔合,催化劑中鑭系金屬的原子進入靶材基質金屬的晶格內引起較大的晶格畸變,產生畸變能,使系統能量增加,稀土原子只能向高能量的晶界富集,使系統保持最低的自由能,從而增加靶材的導電性能,降低靶材的電阻值,增強靶材的附著力,在ITO靶材或銅銀合金靶材中加入超過0.1WT%的鑭系金屬催化劑,靶材的導電性能可提高10-15%。
具體實施方式
下面對本發明的具體實施方式作進一步說明。在此需要說明的是,對于這些實施方式的說明用于幫助理解本發明,但并不構成對本發明的限定。此外,下面所描述的本發明各個實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。
實施例1
本實施例按重量份,包括3g的La、8g的Ce、4g的Yb,將所有組分在真空狀態下于鎢坩堝中熔煉為一體,形成鑭系金屬催化劑。
實施例2
本實施例按重量份,包括6g的La、4g的Ce、5g的Yb,將所有組分在真空狀態下于鎢坩堝中熔煉為一體,形成鑭系金屬催化劑。
實施例3
本實施例按重量份,包括5g的La、5g的Ce、2g的Yb,將所有組分在真空狀態下于鎢坩堝中熔煉為一體,形成鑭系金屬催化劑。
實施例4
本實施例按重量份,包括5g的La、5g的Ce、2g的Yb、3g的Gd、1g的Lu,將所有組分在真空狀態下于鎢坩堝中熔煉為一體,形成鑭系金屬催化劑。
實施例5
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