[發(fā)明專利]評價裝置、探針位置的檢查方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710010160.8
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN106960804B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 竹迫憲浩;岡田章;野口貴也
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明的目的在于提供能夠以短時間高精度地對探針前端的面內(nèi)位置進行檢查的、適應(yīng)于雙面探測器的評價裝置以及探針位置的檢查方法。具有：支撐部，其將半導體裝置固定；多個第1探針，其固定于在該支撐部的上方設(shè)置的第1絕緣板；多個第2探針，其固定于在該支撐部的下方設(shè)置的第2絕緣板；以及探針位置檢查裝置，其安裝于該支撐部，該探針位置檢查裝置具有：框體，其在該第1絕緣板側(cè)具有第1透明部件，在該第2絕緣板側(cè)具有第2透明部件；內(nèi)部棱鏡，其設(shè)置于該框體之中；棱鏡旋轉(zhuǎn)部，其在該框體之中使該內(nèi)部棱鏡旋轉(zhuǎn)；以及拍攝部，其經(jīng)由該內(nèi)部棱鏡對與該第1透明部件接觸的該多個第1探針或者與該第2透明部件接觸的該多個第2探針進行拍攝。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種對探針前端的位置進行檢測的評價裝置和探針位置的檢查方法。

背景技術(shù)

半導體晶片或者將半導體晶片單片化后的芯片是在出廠前評價電氣特性的被測定物。在評價被測定物的電氣特性時，在通過真空吸附等將被測定物的下表面固定于卡盤臺的表面之后，使得用于進行電輸入輸出的探針與在被測定物的上表面的一部分設(shè)置的電極接觸。在沿縱向流過大電流的縱型構(gòu)造的半導體裝置的評價中，卡盤臺的表面成為電極。在流過大電流或者施加高電壓的評價中，增加探針的數(shù)量。

在評價半導體裝置的電氣特性時，使多個探針高位置精度地與半導體裝置的表面電極接觸是重要的。在探針與表面電極的接觸位置產(chǎn)生了偏差的情況下，有時并未向半導體裝置施加所希望的電流或者電壓。另外，如果探針與半導體裝置的表面電極以外的部分接觸，則半導體裝置有可能受到損傷。特別是，在使用使探針與半導體裝置的雙面接觸的雙面探測器的情況下，如果存在上述的位置偏差，則半導體裝置可能會受到損傷。

為了抑制探針與半導體裝置的接觸位置的偏差，優(yōu)選使用短的探針。然而，為了增加探針卡的主體部分與半導體裝置之間的距離而抑制放電現(xiàn)象，存在延長探針的長度的傾向。因此，容易產(chǎn)生探針與半導體裝置的接觸位置的偏差。

已知通過非接觸式的探針位置測定方法針對探針進行是否不存在位置偏差要因的檢查。例如，通過與探針相對而設(shè)置的照相機對探針位置進行圖像處理測量。在該情況下，在探針的前端部分的位置測量時，背景變化、探針與照相機之間的距離波動、針對各個探針的對焦的精度波動或者受到向探針的附著物的影響這些狀況全部成為外部干擾因素，妨礙高精度的測量。

專利文獻1-3中也公開了探針位置的評價方法。在專利文獻1中公開了對使探針與變形體接觸而得到的探針痕跡的位置以及大小進行觀察。在專利文獻2中公開了針跡轉(zhuǎn)印部件的針跡消除。在專利文獻3中，公開了在將測定針抵接于透明玻璃平板的狀態(tài)下進行檢查。

專利文獻1：日本特開2001-189353號公報

專利文獻2：日本特開2009-198407號公報

專利文獻3：日本特開平05-157790號公報

專利文獻1中的探針檢查需要在每次探針檢查時進行變形體的再生處理，而且需要探針痕跡轉(zhuǎn)印后的觀察，因此檢查花費時間。另外，專利文獻1所公開的評價裝置不能容易地附加至現(xiàn)有的評價裝置。就專利文獻2中的針跡轉(zhuǎn)印部件而言，也需要再生處理，而且需要探針痕跡轉(zhuǎn)印后的觀察，因此檢查需要時間。專利文獻3的評價裝置具有復雜的結(jié)構(gòu)，因此不是能夠適應(yīng)于使探針與半導體裝置的雙面接觸的雙面探測器的構(gòu)造。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是為了解決如上所述的課題而提出的，其目的在于提供能夠以短時間高精度地對探針前端的面內(nèi)位置進行檢查的、適應(yīng)于雙面探測器的評價裝置以及探針位置的檢查方法。