[發(fā)明專利]存儲器裝置的操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710009588.0
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN108281165A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林道遠(yuǎn);楊怡箴;張耀文
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C7/10;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

一種存儲器裝置包括N條字線，其中所述字線包括一第i條字線和一第i+1條字線，第i條字線耦接至一第i個存儲單元，第i+1條字線耦接至相鄰于第i個存儲單元的一第i+1個存儲單元，第i+1個存儲單元是一被寫入的存儲單元，i是0至N?2的整數(shù)。操作此種存儲器裝置的一種操作方法包括一讀取步驟。在該讀取步驟中，提供一讀取電壓至第i條字線，提供一第一通過電壓至第i+1條字線，并提供一第二通過電壓至所有其他字線，其中第二通過電壓低于第一通過電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種存儲器裝置的操作方法，進(jìn)一步涉及包括一讀取步驟的方法。

背景技術(shù)

存儲器裝置廣泛地用于電子系統(tǒng)以儲存數(shù)據(jù)。類似于其他電子裝置，對于存儲器裝置和其元件存在有尺寸縮小的潮流。隨著存儲器裝置的縮小，發(fā)生在元件之間的干擾(interference)可能成為問題。這樣的問題可以借由修改元件的材料和/或空間配置來解決。此外，可以借由調(diào)整存儲器裝置的操作方法來減輕干擾。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是關(guān)于能夠減輕存儲器裝置的元件(例如字線和/或存儲單元)之間的干擾問題的方法。

根據(jù)一些實(shí)施例，提供一種存儲器裝置的操作方法，用于操作一存儲器裝置。存儲器裝置包括N條字線，所述字線包括一第i條字線和一第i+1條字線，第i條字線耦接至一第i個存儲單元，第i+1條字線耦接至相鄰于第i個存儲單元的一第i+1個存儲單元，第i+1個存儲單元是一被寫入的存儲單元，i是0至N-2的整數(shù)。操作方法包括一讀取步驟。讀取步驟包括提供一讀取電壓至第i條字線、提供一第一通過電壓至第i+1條字線、和提供一第二通過電壓至所述字線中的所有其他字線，其中第二通過電壓低于第一通過電壓。

根據(jù)一些實(shí)施例，提供一種存儲器裝置的操作方法，用于操作一存儲器裝置。存儲器裝置包括耦接至一位線的N個存儲單元，所述存儲單元包括一第i個存儲單元和相鄰于第i個存儲單元的一第i+1個存儲單元，第i+1個存儲單元是一被寫入的存儲單元，i是0至N-2的整數(shù)。操作方法包括一讀取步驟。讀取步驟包括施加一讀取電壓至第i個存儲單元、施加一第一通過電壓至第i+1個存儲單元、和施加一第二通過電壓至所述存儲單元中的所有其他存儲單元，其中第二通過電壓低于第一通過電壓。

為了對本發(fā)明上述及其他方面有更佳了解，下文特列舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1標(biāo)出存儲器裝置的一示例性電路配置。

圖2標(biāo)出一示例性存儲器裝置的一部分。

圖3標(biāo)出范例和比較例的橫向電位分布。

圖4標(biāo)出范例和比較例的干擾情況。

圖5繪示一示例性存儲器裝置的一部分。

【符號說明】

10：串行

20：串行

110：串行選擇晶體管

120：接地選擇晶體管

200：介電層

210：記憶層

212：隧穿層

214：捕捉層

216：勢壘層

220：通道層

300：基板

310：控制柵

320：浮柵

330：介電層

332：氧化物層

334：氮化物層