[發明專利]存儲器裝置的操作方法

在審

• 申請號: 201710009588.0
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN108281165A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 林道遠;楊怡箴;張耀文
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C7/10;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置的操作方法，用于操作一存儲器裝置，該存儲器裝置包括N條字線，所述字線包括一第i條字線和一第i+1條字線，該第i條字線耦接至一第i個存儲單元，該第i+1條字線耦接至相鄰于該第i個存儲單元的一第i+1個存儲單元，該第i+1個存儲單元是一被寫入的存儲單元，i是0至N-2的整數，該存儲器裝置的操作方法包括一讀取步驟，該讀取步驟包括：

提供一讀取電壓至該第i條字線；

提供一第一通過電壓至該第i+1條字線；以及

提供一第二通過電壓至所述字線中的所有其他字線，其中該第二通過電壓低于該第一通過電壓。

2.如權利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第一通過電壓介于8V和12V之間。

3.如權利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第二通過電壓介于6V和10V之間。

4.如權利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第一通過電壓和該第二通過電壓高于該第i個存儲單元的一最高閾值電壓電平。

5.如權利要求4所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第一通過電壓和該第二通過電壓高于該第i個存儲單元的該最高閾值電壓電平至少2V。

6.如權利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第i個存儲單元和該第i+1個存儲單元耦接至相同的位線。

7.如權利要求6所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第i個存儲單元和該第i+1個存儲單元設置在相同的串行中。

8.如權利要求7所述的存儲器裝置的操作方法，其中該第i+1個存儲單元設置在該第i個存儲單元的漏極側。

9.如權利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中所述字線具有等于或小于30納米的一間隔。

10.一種存儲器裝置的操作方法，用于操作一存儲器裝置，該存儲器裝置包括耦接至一位線的N個存儲單元，所述存儲單元包括一第i個存儲單元和相鄰于該第i個存儲單元的一第i+1個存儲單元，該第i+1個存儲單元是一被寫入的存儲單元，i是0至N-2的整數，該存儲器裝置的操作方法包括一讀取步驟，該讀取步驟包括：

施加一讀取電壓至該第i個存儲單元；

施加一第一通過電壓至該第i+1個存儲單元；以及

施加一第二通過電壓至所述存儲單元中的所有其他存儲單元，其中該第二通過電壓低于該第一通過電壓。