[發明專利]一種IGBT驅動電路

有效

• 申請號: 201710009373.9
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN106788367B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 涂光煒
• 申請（專利權）人: 四川埃姆克伺服科技有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/08
• 代理公司: 四川力久律師事務所 51221
• 代理人: 王蕓;熊曉果

本發明涉及電機驅動電路，特別涉及一種IGBT驅動電路。本發明提供的IGBT驅動電路，包括，驅動光耦、開關驅動電路、軟關斷電路以及飽和壓降檢測電路；所述驅動光耦通過所述開關驅動電路與IGBT的門極連接，用于控制IGBT的通斷；飽和壓降檢測電路檢測IGBT的集電極、射極之間極間電壓，在關斷被控IGBT時，如果檢測到IGBT極間電壓超出閾值，則控制軟關斷電路對IGBT進行關斷，以降低被控IGBT關斷時的瞬時極間電壓，從而降低電路風險。

技術領域

本發明涉及電機驅動領域，特別涉及一種IGBT驅動電路。

背景技術

現有技術中，?IGBT是伺服電機驅動電路中必不可少的開關器件，但是由于IGBT的固有特性，如果對IGBT采用硬關斷方式，在關斷瞬間其C極、E極極間電壓會出現飆高至額定值以上數倍，這對器件安全造成了極大的危害。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中用于電機控制的IGBT采用硬關斷方式時，在關斷瞬間其C極、E極極間電壓會出現飆高至額定值以上數倍的問題，提供一種避免IGBT在關斷時C極、E極極間電壓飆高的驅動電路。

為了實現上述發明目的，本發明提供了以下技術方案：

一種IGBT驅動電路，包括，驅動光耦、開關驅動電路、軟關斷電路以及飽和壓降檢測電路；

所述驅動光耦通過所述開關驅動電路與IGBT的門極連接，用于控制IGBT的通斷；

所述飽和壓降檢測電路兩個輸入端分別與所述IGBT的集電極、射極連接，用于檢測IGBT的關斷電壓是否超出預設閾值；

所述驅動光耦還通過所述軟關斷電路與IGBT的門極連接，并接收所述飽和壓降檢測電路的檢測結果，在IGBT的關斷電壓超出預設閾值時，所述驅動光耦結束對所述開關驅動電路的控制，采用所述軟關斷電路關閉所述IGBT。

還包括PWM調理電路，所述PWM調理電路用于將PWM波進行濾波、毛刺去除后輸入至所述驅動光耦，所述驅動光耦根據該PWM波對IGBT進行驅動控制。

進一步的，報警反饋電路，所述報警反饋電路自所述驅動光耦接收報警信號，并將該信號反饋至控制器。

進一步的，所述開關驅動電路包括開啟電路和關斷電路；

所述開啟電路包括第一PMOS管Q1，所述第一PMOS管Q1通過第一電阻R3自所述驅動光耦接收開啟信號，同時所述第一PMOS管Q1的源極與電源連接，漏極通過并接的第一電阻R3組與被控IGBT的門極連接；

所述關斷電路包括第一NMOS管Q2，所述第一NMOS管Q2通過第二電阻R2自所述驅動光耦接收關斷信號，同時所述第一NMOS管Q2的源極接負壓電源，漏極通過并接的第二電阻組與被控IGBT的門極連接。

進一步的，所述飽和壓降檢測電路包括，第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接，用于檢測被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓；

還包括，第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩壓二極管ZD1、第二穩壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1；

所述第一二極管D1的負極與第一端口、第二端口連接，正極與第一穩壓二極管ZD1的正極連接，第一穩壓二極管ZD1的負極通過第三電阻R3與并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩壓二極管ZD2連接，其中，與第二二極管D2負極和第二穩壓二極管ZD2負極連接；

所述第一穩壓二極管ZD1的負極還通過第三電阻R3、第四電阻R4與所述開關驅動電路的輸出端連接。