[發(fā)明專利]一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710009373.9
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106788367B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂光煒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川埃姆克伺服科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/567
• 分類號(hào): H03K17/567;H03K17/08
• 代理公司: 四川力久律師事務(wù)所 51221
• 代理人: 王蕓;熊曉果

1.一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括，驅(qū)動(dòng)光耦、開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路以及飽和壓降檢測(cè)電路；?所述驅(qū)動(dòng)光耦通過(guò)所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的門極連接，用于控制IGBT的通斷；?所述飽和壓降檢測(cè)電路兩個(gè)輸入端分別與所述IGBT的集電極、射極連接，用于檢測(cè)IGBT的關(guān)斷電壓是否超出預(yù)設(shè)閾值；?所述驅(qū)動(dòng)光耦還通過(guò)所述軟關(guān)斷電路與IGBT的門極連接，并接收所述飽和壓降檢測(cè)電路的檢測(cè)結(jié)果，在IGBT的關(guān)斷電壓超出預(yù)設(shè)閾值時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)光耦結(jié)束對(duì)所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的控制，采用所述軟關(guān)斷電路關(guān)閉所述IGBT；所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)啟電路和關(guān)斷電路；所述開(kāi)啟電路包括第一PMOS管Q1，所述第一PMOS管Q1通過(guò)第一電阻R1自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收開(kāi)啟信號(hào)，同時(shí)所述第一PMOS管Q1的源極與電源連接，漏極通過(guò)并接的第一電阻組與被控IGBT的門極連接；?所述關(guān)斷電路包括第一NMOS管Q2，所述第一NMOS管Q2通過(guò)第二電阻R2自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收關(guān)斷信號(hào)，同時(shí)所述第一NMOS管Q2的源極接負(fù)壓電源，漏極通過(guò)并接的第二電阻組與被控IGBT的門極連接。

2.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括PWM調(diào)理電路，所述PWM調(diào)理電路用于將PWM波進(jìn)行濾波、毛刺去除后輸入至所述驅(qū)動(dòng)光耦，所述驅(qū)動(dòng)光耦根據(jù)該P(yáng)WM波對(duì)IGBT進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。

3.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，報(bào)警反饋電路，所述報(bào)警反饋電路自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收?qǐng)?bào)警信號(hào)，并將該信號(hào)反饋至控制器。

4.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述飽和壓降檢測(cè)電路包括，第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接，用于檢測(cè)被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓；?還包括，第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1；?所述第一二極管D1的負(fù)極與第一端口、第二端口連接，正極與第一穩(wěn)壓二極管ZD1的正極連接，第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極通過(guò)第三電阻R3與并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩(wěn)壓二極管ZD2連接，其中，與第二二極管D2負(fù)極和第二穩(wěn)壓二極管ZD2負(fù)極連接；?所述第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極還通過(guò)第三電阻R3、第四電阻R4與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。

5.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述軟關(guān)斷電路包括第二NMOS管Q3，所述第二NMOS管Q3通過(guò)第五電阻R5自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收軟關(guān)斷信號(hào)，同時(shí)所述第二NMOS管Q3的源極接負(fù)壓電源，漏極通過(guò)第六電阻R6接被控IGBT的門極。

6.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路和被控IGBT之間還設(shè)置有第一門極保護(hù)電路，所述第一門極保護(hù)電路包括第三二極管D3、第七電阻R7、第三穩(wěn)壓二極管ZD3及第四穩(wěn)壓二極管ZD4；?所述第三二極管D3的正極與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路的輸出端連接，負(fù)極與電源連接；?所述第七電阻一端與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路的輸出端連接，另一端接地；?所述第三穩(wěn)壓二極管ZD3與第四穩(wěn)壓二極管ZD4反向串聯(lián)，其中，第三穩(wěn)壓二極管ZD3的負(fù)極與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路的輸出端連接，第四穩(wěn)壓二極管ZD4負(fù)極接地。

7.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括動(dòng)態(tài)有源鉗位保護(hù)電路，所述動(dòng)態(tài)有源鉗位保護(hù)電路的輸入端與被控IGBT的集電極連接，第一輸出端與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接，第二輸出端與所述關(guān)斷電路的輸入端連接；用于檢測(cè)集電極電壓是否超出預(yù)設(shè)閾值，當(dāng)超出閾值時(shí)，降低該電壓。