[發明專利]一種IGBT驅動電路有效
| 申請號: | 201710009373.9 | 申請日: | 2017-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN106788367B | 公開(公告)日: | 2023-06-13 |
| 發明(設計)人: | 涂光煒 | 申請(專利權)人: | 四川埃姆克伺服科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/567 | 分類號: | H03K17/567;H03K17/08 |
| 代理公司: | 四川力久律師事務所 51221 | 代理人: | 王蕓;熊曉果 |
| 地址: | 610225 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 igbt 驅動 電路 | ||
1.一種IGBT驅動電路,其特征在于,包括,驅動光耦、開關驅動電路、軟關斷電路以及飽和壓降檢測電路;?所述驅動光耦通過所述開關驅動電路與IGBT的門極連接,用于控制IGBT的通斷;?所述飽和壓降檢測電路兩個輸入端分別與所述IGBT的集電極、射極連接,用于檢測IGBT的關斷電壓是否超出預設閾值;?所述驅動光耦還通過所述軟關斷電路與IGBT的門極連接,并接收所述飽和壓降檢測電路的檢測結果,在IGBT的關斷電壓超出預設閾值時,所述驅動光耦結束對所述開關驅動電路的控制,采用所述軟關斷電路關閉所述IGBT;所述開關驅動電路包括開啟電路和關斷電路;所述開啟電路包括第一PMOS管Q1,所述第一PMOS管Q1通過第一電阻R1自所述驅動光耦接收開啟信號,同時所述第一PMOS管Q1的源極與電源連接,漏極通過并接的第一電阻組與被控IGBT的門極連接;?所述關斷電路包括第一NMOS管Q2,所述第一NMOS管Q2通過第二電阻R2自所述驅動光耦接收關斷信號,同時所述第一NMOS管Q2的源極接負壓電源,漏極通過并接的第二電阻組與被控IGBT的門極連接。
2.如權利要求1所述的IGBT驅動電路,其特征在于,還包括PWM調理電路,所述PWM調理電路用于將PWM波進行濾波、毛刺去除后輸入至所述驅動光耦,所述驅動光耦根據該PWM波對IGBT進行驅動控制。
3.如權利要求1所述的IGBT驅動電路,其特征在于,報警反饋電路,所述報警反饋電路自所述驅動光耦接收報警信號,并將該信號反饋至控制器。
4.如權利要求1所述的IGBT驅動電路,其特征在于,所述飽和壓降檢測電路包括,第一端口及第二端口,所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接,用于檢測被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓;?還包括,第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩壓二極管ZD1、第二穩壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1;?所述第一二極管D1的負極與第一端口、第二端口連接,正極與第一穩壓二極管ZD1的正極連接,第一穩壓二極管ZD1的負極通過第三電阻R3與并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩壓二極管ZD2連接,其中,與第二二極管D2負極和第二穩壓二極管ZD2負極連接;?所述第一穩壓二極管ZD1的負極還通過第三電阻R3、第四電阻R4與所述開關驅動電路的輸出端連接。
5.如權利要求1所述的IGBT驅動電路,其特征在于,所述軟關斷電路包括第二NMOS管Q3,所述第二NMOS管Q3通過第五電阻R5自所述驅動光耦接收軟關斷信號,同時所述第二NMOS管Q3的源極接負壓電源,漏極通過第六電阻R6接被控IGBT的門極。
6.如權利要求1所述的IGBT驅動電路,其特征在于,所述開關驅動電路、軟關斷電路和被控IGBT之間還設置有第一門極保護電路,所述第一門極保護電路包括第三二極管D3、第七電阻R7、第三穩壓二極管ZD3及第四穩壓二極管ZD4;?所述第三二極管D3的正極與所述開關驅動電路、軟關斷電路的輸出端連接,負極與電源連接;?所述第七電阻一端與所述開關驅動電路、軟關斷電路的輸出端連接,另一端接地;?所述第三穩壓二極管ZD3與第四穩壓二極管ZD4反向串聯,其中,第三穩壓二極管ZD3的負極與所述開關驅動電路、軟關斷電路的輸出端連接,第四穩壓二極管ZD4負極接地。
7.如權利要求1所述的IGBT驅動電路,其特征在于,還包括動態有源鉗位保護電路,所述動態有源鉗位保護電路的輸入端與被控IGBT的集電極連接,第一輸出端與所述開關驅動電路的輸出端連接,第二輸出端與所述關斷電路的輸入端連接;用于檢測集電極電壓是否超出預設閾值,當超出閾值時,降低該電壓。
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