[發(fā)明專利]一種閃存的擦除方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710007941.1
• 申請(qǐng)日: 2017-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN106782651A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任棟梁;錢亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/16
• 分類號(hào): G11C16/16
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 張振軍,吳敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種閃存的擦除方法。

背景技術(shù)

在多種非易失性存儲(chǔ)器中，快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)，也被稱為閃存，由于其具有高速、高密度、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等特點(diǎn)，在各種電子設(shè)備中獲得了廣泛使用。

在閃存的使用中，經(jīng)常需要對(duì)存儲(chǔ)單元上的信息進(jìn)行擦除，所述擦除操作為在控制柵極施加擦除電壓以從浮柵移除電子。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了保證擦除操作的成功率，通常采用逐次增大的擦除電壓進(jìn)行重復(fù)擦除。具體而言，每次擦除操作完成之后，將檢驗(yàn)擦除狀態(tài)以確認(rèn)是否擦除成功，如果擦除不成功，則調(diào)節(jié)施加到控制柵極上的擦除電壓，采用逐次增大的擦除電壓進(jìn)行重復(fù)擦除操作，直至擦除成功。

但是，與擦除操作的步驟和檢驗(yàn)擦除狀態(tài)的步驟消耗的時(shí)間相比，調(diào)節(jié)擦除電壓的步驟耗時(shí)非常長(相差2至3個(gè)數(shù)量級(jí))，采用逐次增大的擦除電壓會(huì)延長擦除操作的耗時(shí)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種閃存的擦除方法，可以在獲得相近的擦除操作成功率的基礎(chǔ)上，減少擦除操作的耗時(shí)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種閃存的擦除方法，包括以下步驟：設(shè)置擦除電壓為第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述閃存的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，檢驗(yàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除結(jié)果，如果所述擦除結(jié)果為擦除失敗，則重復(fù)采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述閃存的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；如果擦除失敗的次數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)次數(shù)，則調(diào)節(jié)所述擦除電壓至第二預(yù)設(shè)擦除電壓，所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓高于所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓，所述第一預(yù)設(shè)次數(shù)大于等于2；采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次或多次高壓擦除。

可選的，所述設(shè)置擦除電壓為第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作包括：采用所述存儲(chǔ)單元的內(nèi)置修調(diào)電路將所述擦除電壓調(diào)節(jié)為所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且向所述存儲(chǔ)單元的控制柵極施加所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓以完成擦除操作。

可選的，所述檢驗(yàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài)包括：向所述存儲(chǔ)單元的漏極施加讀取電壓，并測(cè)量所述存儲(chǔ)單元從源極至漏極的電流值；如果所述電流值大于預(yù)設(shè)電流閾值，則所述存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài)為擦除成功；如果所述電流值小于預(yù)設(shè)電流閾值，則所述存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài)為擦除失敗。

可選的，調(diào)節(jié)所述擦除電壓至第二預(yù)設(shè)擦除電壓包括：采用所述存儲(chǔ)單元的內(nèi)置修調(diào)電路將所述擦除電壓調(diào)節(jié)至第二預(yù)設(shè)擦除電壓。

可選的，采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次或多次高壓擦除包括：采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次或多次高壓擦除時(shí)，擦除時(shí)長等于標(biāo)準(zhǔn)擦除時(shí)長，所述標(biāo)準(zhǔn)擦除時(shí)長為采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓進(jìn)行擦除操作時(shí)的擦除時(shí)長。

可選的，采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次或多次高壓擦除包括：采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次或多次高壓擦除時(shí)，擦除時(shí)長大于標(biāo)準(zhǔn)擦除時(shí)長，所述標(biāo)準(zhǔn)擦除時(shí)長為采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓進(jìn)行擦除操作時(shí)的擦除時(shí)長。

可選的，所述閃存的擦除方法還包括：在每次高壓擦除操作完成后，檢驗(yàn)所述存儲(chǔ)單元的高壓擦除狀態(tài)；如果高壓擦除失敗的次數(shù)達(dá)到第二預(yù)設(shè)次數(shù)，則停止擦除。

可選的，后一次的高壓擦除的擦除時(shí)長大于等于前一次高壓擦除的擦除時(shí)長。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種閃存的擦除方法，包括以下步驟：設(shè)置擦除電壓為第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述閃存的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，檢驗(yàn)所述存儲(chǔ)單元的擦除結(jié)果，如果所述擦除結(jié)果為擦除失敗，則重復(fù)采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述閃存的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；如果擦除失敗的次數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)次數(shù)，則調(diào)節(jié)所述擦除電壓至第二預(yù)設(shè)擦除電壓，所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓高于所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓，所述第一預(yù)設(shè)次數(shù)大于等于2；采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次或多次高壓擦除。在本發(fā)明實(shí)施例中，采用相同的擦除電壓對(duì)閃存的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，在擦除失敗多次時(shí)，才對(duì)擦除電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以減少調(diào)節(jié)擦除電壓的次數(shù)，從而減少擦除操作的耗時(shí)，并且通過高壓擦除獲得與逐次增大擦除電壓的方法相近的擦除成功率。