[發(fā)明專利]一種閃存的擦除方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710007941.1
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN106782651A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任棟梁;錢亮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 張振軍,吳敏

1.一種閃存的擦除方法，其特征在于，包括以下步驟：

設(shè)置擦除電壓為第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對所述閃存的存儲單元進行擦除操作；

在每次完成所述擦除操作后，檢驗所述存儲單元的擦除結(jié)果，如果所述擦除結(jié)果為擦除失敗，則重復(fù)采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對所述閃存的存儲單元進行擦除操作；

如果擦除失敗的次數(shù)達到第一預(yù)設(shè)次數(shù)，則調(diào)節(jié)所述擦除電壓至第二預(yù)設(shè)擦除電壓，所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓高于所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓，所述第一預(yù)設(shè)次數(shù)大于等于2；

采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對所述存儲單元進行一次或多次高壓擦除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的擦除方法，其特征在于，所述設(shè)置擦除電壓為第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓對存儲單元進行擦除操作包括：

采用所述存儲單元的內(nèi)置修調(diào)電路將所述擦除電壓調(diào)節(jié)為所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓，并且向所述存儲單元的控制柵極施加所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓以完成擦除操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的擦除方法，其特征在于，所述檢驗所述存儲單元的擦除狀態(tài)包括：

向所述存儲單元的漏極施加讀取電壓，并測量所述存儲單元從源極至漏極的電流值；

如果所述電流值大于預(yù)設(shè)電流閾值，則所述存儲單元的擦除狀態(tài)為擦除成功；

如果所述電流值小于預(yù)設(shè)電流閾值，則所述存儲單元的擦除狀態(tài)為擦除失敗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的擦除方法，其特征在于，調(diào)節(jié)所述擦除電壓至第二預(yù)設(shè)擦除電壓包括：

采用所述存儲單元的內(nèi)置修調(diào)電路將所述擦除電壓調(diào)節(jié)至第二預(yù)設(shè)擦除電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的擦除方法，其特征在于，采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對所述存儲單元進行一次或多次高壓擦除包括：

采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對所述存儲單元進行一次或多次高壓擦除時，擦除時長等于標準擦除時長，所述標準擦除時長為采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓進行擦除操作時的擦除時長。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的擦除方法，其特征在于，采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對所述存儲單元進行一次或多次高壓擦除包括：

采用所述第二預(yù)設(shè)擦除電壓對所述存儲單元進行一次或多次高壓擦除時，擦除時長大于標準擦除時長，所述標準擦除時長為采用所述第一預(yù)設(shè)擦除電壓進行擦除操作時的擦除時長。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的閃存的擦除方法，其特征在于，還包括：

在每次高壓擦除操作完成后，檢驗所述存儲單元的高壓擦除狀態(tài)；

如果高壓擦除失敗的次數(shù)達到第二預(yù)設(shè)次數(shù)，則停止擦除。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的閃存的擦除方法，其特征在于，后一次的高壓擦除的擦除時長大于等于前一次高壓擦除的擦除時長。