[發明專利]具有高抗短路能力的IGBT器件在審
| 申請號： | 201710007163.6 | 申請日： | 2017-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN106783988A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 程煒濤;姚陽;王海軍;葉甜春 | 申請（專利權）人： | 江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,涂三民 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新吳區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 短路 能力 igbt 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一柵極（2）、發射極（3）、第一絕緣氧化層（4）、P+區域（5）、金屬層（6）、FS層（7）、集電極（8）、第二柵極（9）、基區（10）與第二絕緣氧化層（11），其特征是：在集電極（8）上設有FS層（7），在FS層（7）上設有基區（10），在基區（10）上設有P阱（1），在P阱（1）上設有金屬層（6），在金屬層（6）內設有左右兩個第一絕緣氧化層（4），在左右兩個第一絕緣氧化層（4）之間的金屬層（6）內設有第二絕緣氧化層（11），在第一絕緣氧化層（4）的下端部連接有第一柵極（2），在第二絕緣氧化層（11）的下端部連接有第二柵極（9），第一柵極（2）與第二柵極（9）的下端部均位于基區（10）內，在第一柵極（2）的上端部的左右兩側以及在第二柵極（9）的上端部的左右兩側均設有發射極（3），位于第二柵極（9）與第一柵極（2）之間的兩個發射極（3）之間以及位于第一柵極（2）外側的發射極（3）上連接有P+區域（5）。
2.如權利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二柵極（9）的寬度大于第一柵極（2）的寬度。
3.如權利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二絕緣氧化層（11）的寬度大于第一絕緣氧化層（4）的寬度。
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