[發(fā)明專利]濺射裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710006470.2
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN106939412B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李棟熙;申相原
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

本發(fā)明涉及一種濺射裝置。本發(fā)明一實施例的濺射裝置可包括：第一電極和第二電極，彼此面對地配置在腔室內(nèi)；多個靶，在第二電極的第一面上被配置為沿第一方向彼此隔開；和磁場生成部，位于第二電極的朝向與第一面相反的一側(cè)的第二面上，并包括被配置為與多個靶中的每一個對應(yīng)的多個磁鐵部件，對多個磁鐵部件中的每一個來說，磁鐵部件在與第一方向交叉的第二方向上的邊緣區(qū)域的磁場強度比所述磁鐵部件的中心區(qū)域小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種濺射裝置。

背景技術(shù)

目前眾所皆知的顯示裝置具有液晶顯示裝置(liquid crystal display：LCD)、等離子顯示裝置(plasma display panel：PDP)和有機發(fā)光顯示裝置(organic lightemitting diode device：OLED device)等。

為了形成這種顯示裝置，需要進行用于形成由規(guī)定物質(zhì)構(gòu)成的薄膜的薄膜沉積(thin film deposition)、光刻(photo-lithography)或蝕刻(etching)等各種彼此不同的工藝。

其中，薄膜沉積工藝中使用的濺射裝置為在基板上沉積金屬薄膜的裝置，利用如下原理：當對真空下的兩個電極施加直流電壓并注入氬(Ar)氣等時，氬被電離的同時向陰極加速，通過碰撞釋放出設(shè)置于陰極的金屬靶的粒子，此時釋放出的粒子附著在位于陽極的基板表面上。

但是，有可能發(fā)生如下問題：由于氬氣等未均勻地碰撞到金屬靶，因此金屬物質(zhì)不會均勻地沉積在基板表面上。

發(fā)明內(nèi)容

以如上所述的技術(shù)背景為基礎(chǔ)，本發(fā)明的目的在于提供一種濺射裝置，該濺射裝置通過使等離子體狀態(tài)的惰性氣體與靶均勻地碰撞，能夠?qū)?gòu)成靶的金屬粒子均勻地沉積在基板上。

本發(fā)明一實施例的濺射裝置可包括：第一電極和第二電極，彼此面對地配置在腔室內(nèi)；多個靶，沿第一方向彼此隔開地配置在所述第二電極的第一面上；以及磁場生成部，位于所述第二電極的朝向與所述第一面相反的一側(cè)的第二面上，并包括被配置為與所述多個靶中的每一個對應(yīng)的多個磁鐵部件，對所述多個磁鐵部件中的每一個來說，所述磁鐵部件在與所述第一方向交叉的第二方向上的邊緣區(qū)域的磁場強度可以比所述磁鐵部件的中心區(qū)域的磁場強度小。

所述多個磁鐵部件中的每一個包括：第一區(qū)域，位于所述磁鐵部件的中心；以及第二區(qū)域和第三區(qū)域，沿所述第二方向依次位于所述第一區(qū)域的兩側(cè)，所述磁鐵部件的磁場強度按所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的順序減小。

在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中可分別配置有多個單位磁鐵。

所述多個單位磁鐵在與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的長度可按所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的順序減小。

所述多個單位磁鐵可由不同的物質(zhì)構(gòu)成，使得所述磁鐵部件的磁場強度按所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的順序減弱。

所述多個單位磁鐵之間的間隔可按所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的順序增加。

在每單位面積中，所述多個單位磁鐵所占的面積可按所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的順序減小。

所述單位磁鐵的截面可形成為相同的形狀。

所述單位磁鐵的截面可以是圓形形狀。

所述多個磁鐵部件中的每一個可包括：第四區(qū)域，位于所述磁鐵部件的中心；以及第五區(qū)域，沿所述第一方向位于所述第四區(qū)域的兩側(cè)，位于所述第五區(qū)域的多個單位磁鐵的上側(cè)端面從所述中心朝向所述第一方向。

位于所述第五區(qū)域的多個單位磁鐵在與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的長度可從所述中心沿所述第一方向逐漸減小。