[發明專利]充電控制電路及終端

在審

• 申請號: 201710006410.0
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN106655392A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 涂瑞
• 申請（專利權）人: 宇龍計算機通信科技(深圳)有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

技術領域

本發明涉及充電技術領域，具體而言，涉及一種充電控制電路及一種終端。

背景技術

目前，由于移動終端設備的普及和技術發展的瓶頸，快速充電技術越來越受到重視。

相關技術中，低壓快充方案多是采用CHARDER的供電輸出端(記作VBUS端)與蓄電裝置(記作BATTERY)的充電輸入端(記作VBAT端)之間設置兩個背靠背的MOS管(PMOS或NMOS)直接連接。

其中，兩個MOS管的作用有兩個：

(1)通過CPU主控的VGATE控制充電通道的通斷，進行充電控制；

(2)防止VBUS意外短接到GND情況下，VBAT通過MOS管的體二極管電流倒灌。

采用兩個背靠背的MOS管，雖然解決了意外情況下電流倒灌的問題，但是使用兩個MOS管，至少存在以下問題：

(1)增加了成本；

(2)增加了線路阻抗，會導致發熱問題；

(3)增加了PCB(Printed Circuit Board，印制電路板)布局面積。

因此，如何在解決VBAT電流倒灌的同時，降低成本，減少線路阻抗，降低發熱，同時節省PCB布局面積，成為亟待解決的問題。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術或相關技術中存在的技術問題之一。

為此，本發明的一個目的在于提出了一種充電控制電路。

本發明的另一個目的在于提出了一種終端。

為實現上述目的，根據本發明的第一方面的技術方案，提出了一種充電控制電路，包括：單向導通器件；功率器件，與單向導通器件串聯連接于供電輸出端與充電輸入端之間；控制器，控制器的輸出端連接至功率器件的驅動端，功率器件的驅動端獲取導通信號時導通，以將供電輸出端的充電電流正向傳輸至充電輸入端，其中，單向導通器件在充電電流反向傳輸時不導通。

在該技術方案中，在供電輸出端和充電輸入端之間串聯設置單向導通器件和功率器件，控制器驅動功率器件導通時，將供電輸出端的電流正向傳輸至充電輸入端。這樣，通過設置單向導通器件，在充電過程中，如果遇到意外情況，導致充電電流反向傳輸時，單向導通器件呈高阻斷開狀態，以減少電流倒灌的可能性。同時，單向導通器件的設置，在解決意外情況下電流倒灌問題的同時，由于單向導通器件的成本較低，單向導通器件的導通阻抗也相對較小，因此可降低充電控制電路的成本，減少線路阻抗，降低發熱，同時也可節省PCB布局面積。

根據本發明的上述技術方案的充電控制電路，還可以具有以下技術特征：

在上述技術方案中，優選地，單向導通器件包括：二極管，二極管的正極連接至供電輸出端，二極管的負極連接至充電輸入端。

在該技術方案中，單向導通器件包括二極管。二極管作為一種單向導通器件，分為正負極，具有單向導電特性。電流可由正極流向負極，但在二極管的正極接在低電位端時，二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態。因此，將二極管的正極連接在供電輸出端，負極連接在充電輸入端，當出現意外情況，導致供電輸出端處于低電位時，充電電流由于二極管的存在減少倒流的可能性，因此，可以減少在意外情況下發生電流倒灌的可能性。并且，二極管的成本低廉，體積較小，阻抗和壓降都可以控制在較小范圍內，并且過流能力也能達到充電電流，因此，可以節省成本，降低充電過程中的發熱，節省PCB布局面積。

在上述技術方案中，優選地，二極管為鍺功率二極管。

在該技術方案中，選擇鍺功率二極管作為單向導通器件。在充電過程中，電流在充電電路中會產生熱量，為了減少充電過程中電路過熱的可能性，因此應盡量降低元器件的導通阻抗和導通壓降。在二極管中，鍺二極管具有導通阻抗小，正向壓降小的特性，因此，選擇鍺功率二極管作為單向導通器件，可以在減少意外情況下發生電流倒灌可能性的同時，降低充電過程中的發熱。

在上述技術方案中，優選地，功率器件包括MOSFET晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor晶體管，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)，MOSFET晶體管的源極連接至二極管的負極，MOSFET晶體管的漏極連接至充電輸入端，功率器件的驅動端為MOSFET晶體管的柵極。