[發明專利]充電控制電路及終端在審
| 申請號： | 201710006410.0 | 申請日： | 2017-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN106655392A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 涂瑞 | 申請（專利權）人： | 宇龍計算機通信科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 充電 控制電路 終端 | ||
1.一種充電控制電路，充電輸入端其特征在于，所述充電控制電路包括：
單向導通器件；
功率器件，與所述單向導通器件串聯連接于供電輸出端與充電輸入端之間；
控制器，所述控制器的輸出端連接至所述功率器件的驅動端，所述功率器件的驅動端獲取導通信號時導通，以將所述供電輸出端的充電電流正向傳輸至所述充電輸入端，
其中，所述單向導通器件在所述充電電流反向傳輸時不導通。
2.根據權利要求1所述的充電控制電路，其特征在于，所述單向導通器件包括：
二極管，所述二極管的正極連接至所述供電輸出端，所述二極管的負極連接至所述充電輸入端。
3.根據權利要求2所述的充電控制電路，其特征在于，
所述二極管為鍺功率二極管。
4.根據權利要求2所述的充電控制電路，其特征在于，
所述功率器件包括MOSFET晶體管，所述MOSFET晶體管的源極連接至所述二極管的負極，所述MOSFET晶體管的漏極連接至所述充電輸入端，所述功率器件的驅動端為所述MOSFET晶體管的柵極。
5.根據權利要求4所述的充電控制電路，其特征在于，
所述MOSFET晶體管還設有反向恢復二極管，所述反向恢復二極管的正極連接至所述MOSFET晶體管的源極，所述反向恢復二極管的負極連接至所述MOSFET晶體管的漏極。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的充電控制電路，其特征在于，
所述控制器為CPU、MCU和單片機中的一種。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的充電控制電路，其特征在于，
所述單向導通器件的導通電阻小于或等于10毫歐。
8.根據權利要求1至5中任一項所述的充電控制電路，其特征在于，
所述單向導通器件的導通壓降小于或等于0.2伏。
9.根據權利要求1至5中任一項所述的充電控制電路，其特征在于，
所述單向導通器件的電流閾值大于或等于所述充電電流的最大值的1.2倍。
10.一種終端，其特征在于，包括：如權利要求1至9中任一項所述的充電控制電路。
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