[發明專利]臺階形貌的工藝方法在審
| 申請號： | 201710003974.9 | 申請日： | 2017-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN106876321A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 李豪 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臺階 形貌 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種臺階形貌的工藝方法，在具有臺階形貌的第一層膜上覆蓋淀積第二層膜，淀積的第二層膜同樣復制形成有臺階，其特征在于：對第二層膜先進行化學機械研磨，將第二層膜的臺階研磨掉，使第二層膜的表面變成平面而不再具有臺階之后，再對剩余的第二層膜進行刻蝕。
2.如權利要求1所述的臺階形貌的工藝方法，其特征在于：在對所述第二層膜進行化學機械研磨，研磨的厚度為研磨至第二層膜表面平坦無臺階。
3.如權利要求1所述的臺階形貌的工藝方法，其特征在于：研磨后對剩余的第二層膜進行刻蝕，采用的方法為干法刻蝕。
4.如權利要求3所述的臺階形貌的工藝方法，其特征在于：干法刻蝕時，原臺階處的第二層膜不會偏厚，干法回刻后臺階處不會有第二層膜的膜質殘留。
5.如權利要求1所述的臺階形貌的工藝方法，其特征在于：所述第一層膜為氧化硅膜，或者為其他材質的膜層；所述第二層膜為多晶硅膜，或者為其他材質的膜層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710003974.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
