[發(fā)明專利]顯示屏及其控制方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710003222.2 | 申請日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN106783888B | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孟虎 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示屏 及其 控制 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示屏及其控制方法、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述顯示屏包括:顯示面板和控制電路,所述顯示面板中陣列基板中的薄膜晶體管包括:源極、漏極、有源層和n個柵極,所述控制電路分別與所述n個柵極中的目標(biāo)柵極和輔助柵極相連接,所述控制電路用于在關(guān)態(tài)時(shí)間段向目標(biāo)柵極輸入第一關(guān)態(tài)電壓,在所述關(guān)態(tài)時(shí)間段向輔助柵極輸入第二關(guān)態(tài)電壓,使得在所述n個柵極上電壓的作用下,所述有源層中形成目標(biāo)PN結(jié),所述目標(biāo)PN結(jié)的正向?qū)ǚ较蚺c所述有源層中除所述目標(biāo)PN結(jié)所在區(qū)域之外的區(qū)域中電流的流動方向相反。本發(fā)明解決了TFT無法正常使用的問題,實(shí)現(xiàn)了TFT能夠正常使用的效果,本發(fā)明用于顯示屏。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種顯示屏及其控制方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
顯示屏包括顯示面板和陣列基板行驅(qū)動(英文:Gate driver On Array;簡稱:GOA)電路,其中,顯示面板包括對盒成形的陣列基板和彩膜基板,以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶。陣列基板包括襯底基板以及形成在襯底基板上的陣列排布的多個薄膜晶體管(英文:Thin Film Transistor;簡稱TFT)。
相關(guān)技術(shù)中,薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層,其中,柵極、電極和漏極的材質(zhì)均為金屬,有源層的材質(zhì)為半導(dǎo)體型碳納米管。當(dāng)柵極上施加的電壓達(dá)到開態(tài)電壓(通常大于閾值電壓)時(shí),有源層將源極和漏極導(dǎo)通,此時(shí),TFT處于開態(tài),TFT中的電流較大,源極上的數(shù)據(jù)信號能夠傳輸至漏極;當(dāng)柵極上施加的電壓為關(guān)態(tài)電壓(通常小于閾值電壓)時(shí),有源層無法將源極和漏極導(dǎo)通,TFT處于關(guān)態(tài),TFT中的電流較小,源極上的數(shù)據(jù)信號無法傳輸至漏極。
但是,當(dāng)以半導(dǎo)體型碳納米管為有源層的TFT覆蓋無機(jī)鈍化層后,有源層中的載流子較容易出現(xiàn)雙極性傳導(dǎo)的現(xiàn)象(即在超過閾值電壓的較大正電壓下,載流子為電子,在低于閾值電壓的較大負(fù)電壓下,載流子為空穴,在閾值電壓附近,載流子為電子和空穴),從而使得在控制TFT處于關(guān)態(tài)時(shí),TFT中的源漏電流較大,TFT的關(guān)態(tài)電流較大,因此,TFT無法正常使用。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決TFT無法正常使用的問題,本發(fā)明提供了一種顯示屏及其控制方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
第一方面,提供了一種顯示屏,所述顯示屏包括:顯示面板和控制電路,
所述顯示面板中陣列基板包括:襯底基板,以及設(shè)置在所述襯底基板上薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:源極、漏極、有源層和n個柵極,所述有源層的材質(zhì)為半導(dǎo)體型碳納米管,所述n為大于或等于2的整數(shù),
所述控制電路分別與所述n個柵極中的目標(biāo)柵極和輔助柵極相連接,所述目標(biāo)柵極和所述輔助柵極不同,所述控制電路用于在關(guān)態(tài)時(shí)間段向目標(biāo)柵極輸入第一關(guān)態(tài)電壓,在所述關(guān)態(tài)時(shí)間段向輔助柵極輸入第二關(guān)態(tài)電壓,使得在所述n個柵極上電壓的作用下,所述有源層中形成目標(biāo)正負(fù)PN結(jié),所述目標(biāo)PN結(jié)的正向?qū)ǚ较蚺c所述有源層中除所述目標(biāo)PN結(jié)所在區(qū)域之外的區(qū)域中電流的流動方向相反。
可選的,所述控制電路包括:陣列基板行驅(qū)動GOA電路和輔助電路,
所述GOA電路與所述目標(biāo)柵極相連接,所述輔助電路與所述輔助柵極相連接,所述GOA電路用于在所述關(guān)態(tài)時(shí)間段向所述目標(biāo)柵極輸入第一關(guān)態(tài)電壓,所述輔助電路用于在所述關(guān)態(tài)時(shí)間段向所述輔助柵極輸入第二關(guān)態(tài)電壓。
可選的,所述n為大于或等于3的整數(shù),所述n個柵極包括:x個第一柵極和y個第二柵極,所述x和所述y均為大于或等于1的整數(shù),且x+y=n,所述x個第一柵極和所述y個第二柵極間隔設(shè)置,
所述x個第一柵極中與第二柵極相鄰的第一柵極為目標(biāo)柵極,所述y個第二柵極中與第一柵極相鄰的第二柵極為輔助柵極,所述GOA電路與所述目標(biāo)柵極相連接,所述輔助電路與所述輔助柵極相連接;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





