[發明專利]顯示屏及其控制方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710003222.2 | 申請日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN106783888B | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 孟虎 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示屏 及其 控制 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示屏,其特征在于,所述顯示屏包括:顯示面板、陣列基板行驅動GOA電路和輔助電路,
所述顯示面板中陣列基板包括:襯底基板,以及設置在所述襯底基板上薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:源極、漏極、有源層以及排成一列的第一柵極組和兩個第二柵極組,且所述第一柵極組位于所述兩個第二柵極組之間;所述第一柵極組包括x個第一柵極,所述兩個第二柵極組包括y個第二柵極,所述有源層的材質為半導體型碳納米管,所述x為大于或等于1的整數,所述y為大于2的整數;
所述GOA電路與所述x個第一柵極中的每個第一柵極相連接,所述輔助電路與所述y個第二柵極中的每個第二柵極相連接;
所述GOA電路用于在關態時間段向目標柵極輸入第一關態電壓,所述輔助電路用于在所述關態時間段向輔助柵極輸入第二關態電壓,使得在所述x個第一柵極與所述y個第二柵極上電壓的作用下,所述有源層中形成正向導通方向相反的目標PN結和輔助PN結,且所述目標PN結的正向導通方向與所述有源層中除所述目標PN結所在區域之外的區域中電流的流動方向相反;所述目標柵極為所述x個第一柵極中與第二柵極相鄰的第一柵極,所述輔助柵極為所述y個第二柵極中與第一柵極相鄰的第二柵極。
2.根據權利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述x個第一柵極與所述y個第二柵極均位于所述有源層的同側,
所述襯底基板上設置有所述有源層;
設置有所述有源層的所述襯底基板上設置有所述源極和所述漏極;
設置有所述源極和所述漏極的所述襯底基板上設置有柵極絕緣層;
設置有所述柵極絕緣層的所述襯底基板上設置有所述x個第一柵極與所述y個第二柵極;
設置有所述x個第一柵極與所述y個第二柵極的所述襯底基板上設置有鈍化層。
3.根據權利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述x個第一柵極與所述y個第二柵極均位于所述有源層的同側,
所述襯底基板上設置有所述x個第一柵極與所述y個第二柵極;
設置有所述x個第一柵極與所述y個第二柵極的所述襯底基板上設置有柵極絕緣層;
設置有所述柵極絕緣層的所述襯底基板上設置有所述有源層;
設置有所述有源層的所述襯底基板上設置有所述源極和所述漏極;
設置有所述源極和所述漏極的所述襯底基板上設置有鈍化層。
4.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求1至3任一所述的顯示屏。
5.一種顯示屏的控制方法,其特征在于,所述顯示屏為權利要求1至3任一所述的顯示屏,所述顯示屏包括:顯示面板、陣列基板行驅動GOA電路和輔助電路,所述顯示面板中陣列基板包括:襯底基板,以及設置在所述襯底基板上薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:源極、漏極、有源層以及排成一列的第一柵極組和兩個第二柵極組,且所述第一柵極組位于所述兩個第二柵極組之間;所述第一柵極組包括x個第一柵極,所述兩個第二柵極組包括y個第二柵極,所述有源層的材質為半導體型碳納米管,所述x為大于或等于1的整數,所述y為大于2的整數;所述GOA電路與所述x個第一柵極中的每個第一柵極相連接,所述輔助電路與所述y個第二柵極中的每個第二柵極相連接;所述方法包括:
控制所述GOA電路在關態時間段向目標柵極輸入第一關態電壓;
控制所述輔助電路在所述關態時間段向輔助柵極輸入第二關態電壓,使得在所述x個第一柵極與所述y個第二柵極上電壓的作用下,薄膜晶體管中的有源層中形成正向導通方向相反的目標PN結和輔助PN結,且所述目標PN結的正向導通方向與所述有源層中除所述目標PN結所在區域之外的區域中電流的流動方向相反;所述目標柵極為所述x個第一柵極中與第二柵極相鄰的第一柵極,所述輔助柵極為所述y個第二柵極中與第一柵極相鄰的第二柵極;
控制所述GOA電路在開態時間段向所述每個第一柵極輸入開態電壓;
控制所述輔助電路在所述開態時間段向所述每個第二柵極輸入所述開態電壓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





