[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710002822.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106783887B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 占建英;馮思林;張俊;沈奇雨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 11274 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,可提高顯示效果。所述陣列基板包括:GOA區(qū)域,所述GOA區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極;所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述源極和所述漏極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的鈍化層和導(dǎo)電層;其中,所述導(dǎo)電層在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影重疊。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,特別是小尺寸屏幕對(duì)窄邊框的要求越來越高。隨著TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)開關(guān)特性的不斷提高,現(xiàn)有技術(shù)常采用將GOA(GateDriver on Array,陣列基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù))將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板的周邊區(qū)域,以減少IC(integrated circuit,集成電路)的使用,能夠提高顯示裝置的集成度,實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)的同時(shí),降低制作成本。
現(xiàn)有技術(shù)中,如圖1所示,陣列基板顯示區(qū)域和GOA區(qū)域,GOA區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管,薄膜晶體管包括依次設(shè)置在基板10上的柵極11、柵絕緣層12、有源層13、源極14、漏極15;陣列基板還包括依次設(shè)置在源極14和漏極15遠(yuǎn)離襯底10一側(cè)的鈍化層16。柵極11在有源層13與柵絕緣層12界面處會(huì)形成柵極前溝道110,在有源層13與鈍化層16界面處會(huì)形成柵極后溝道120。當(dāng)TFT關(guān)閉時(shí),前溝道110和后溝道120會(huì)形成較大的GOA區(qū)域溝道漏電流,容易導(dǎo)致顯示裝置出現(xiàn)顯示不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,可提高顯示效果。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
第一方面,提供一種陣列基板,包括GOA區(qū)域,所述GOA區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極;所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述源極和所述漏極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的鈍化層和導(dǎo)電層;其中,所述導(dǎo)電層在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影重疊。
可選的,所述導(dǎo)電層覆蓋所述GOA區(qū)域。
可選的,所述導(dǎo)電層包括鏤空部分,所述鏤空部分內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電層絕緣。
優(yōu)選的,所述鈍化層上設(shè)置有過孔,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述過孔與所述漏極電連接。
優(yōu)選的,所述導(dǎo)電層為金屬導(dǎo)電層。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述金屬導(dǎo)電層的材料為遮光材料。
第二方面,提供一種陣列基板的制備方法,所述陣列基板包括GOA區(qū)域,所述GOA區(qū)域形成有薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括依次形成在襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極;所述陣列基板還包括依次形成在所述源極和所述漏極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的鈍化層和導(dǎo)電層;其中,所述導(dǎo)電層在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影重疊。
可選的,所述導(dǎo)電層覆蓋所述GOA區(qū)域。
可選的,所述導(dǎo)電層包括鏤空部分,所述鏤空部分內(nèi)形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電層絕緣。
第三方面,提供一種顯示裝置,包括第一方面所述的陣列基板。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,通過在GOA區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管的上方設(shè)置一層導(dǎo)電層,使得導(dǎo)電層在有源層與柵絕緣層界面處形成導(dǎo)電層背溝道,在有源層與鈍化層界面處形成的導(dǎo)電層前溝道。向?qū)щ妼虞斎氲碗妷盒盘?hào),當(dāng)薄膜晶體管關(guān)閉時(shí),導(dǎo)電層背溝道產(chǎn)生的漏電流與柵極前溝道產(chǎn)生的漏電流相互作用而抵消;導(dǎo)電層前溝道產(chǎn)生的漏電流與柵極背溝道產(chǎn)生的漏電流相互作用而抵消。從而可降低GOA區(qū)域內(nèi)薄膜晶體管的漏電流,將陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時(shí),可保證顯示裝置的顯示效果。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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