[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710002822.7 | 申請日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN106783887B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發明(設計)人: | 占建英;馮思林;張俊;沈奇雨 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括GOA區域,所述GOA區域設置有薄膜晶體管,其特征在于,所述薄膜晶體管包括依次設置在襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極;所述陣列基板還包括依次設置在所述源極和所述漏極遠離所述襯底一側的鈍化層和導電層;
其中,所述導電層在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影重疊;
所述導電層在有源層與柵絕緣層界面處形成有導電層背溝道,在有源層與鈍化層界面處形成有導電層前溝道,向所述導電層輸入低電壓信號,當所述薄膜晶體管關閉時,所述導電層背溝道產生的漏電流與柵極前溝道產生的漏電流相互作用而抵消,所述導電層前溝道產生的漏電流與柵極背溝道產生的漏電流相互作用而抵消,以降低所述GOA區域內薄膜晶體管的漏電流;
所述導電層包括鏤空部分,所述鏤空部分內設置有導電結構,所述導電結構與所述導電層絕緣;
所述鈍化層上設置有過孔,所述導電結構通過所述過孔與所述漏極電連接;
所述導電結構用作測試電極。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導電層覆蓋所述GOA區域。
3.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述導電層為金屬導電層。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬導電層的材料為遮光材料。
5.一種陣列基板的制備方法,所述陣列基板包括GOA區域,所述GOA區域形成有薄膜晶體管,其特征在于,所述薄膜晶體管包括依次形成在襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極;所述陣列基板還包括依次形成在所述源極和所述漏極遠離所述襯底一側的鈍化層和導電層;
其中,所述導電層在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影重疊;
所述導電層在有源層與柵絕緣層界面處形成導電層背溝道,在有源層與鈍化層界面處形成導電層前溝道,向所述導電層輸入低電壓信號,當所述薄膜晶體管關閉時,所述導電層背溝道產生的漏電流與柵極前溝道產生的漏電流相互作用而抵消,所述導電層前溝道產生的漏電流與柵極背溝道產生的漏電流相互作用而抵消,以降低所述GOA區域內薄膜晶體管的漏電流;
所述導電層包括鏤空部分,所述鏤空部分內形成有導電結構,所述導電結構與所述導電層絕緣;
所述鈍化層上形成過孔,所述導電結構通過所述過孔與所述漏極電連接;
所述導電結構用作測試電極。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述導電層覆蓋所述GOA區域。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-4任一項所述的陣列基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710002822.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





