[發明專利]一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置

有效

• 申請號: 201710002814.2
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN106756779B
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 薛金祥;孫中元;周翔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置，涉及磁控濺射工藝技術領域，能夠避免僅通過調整掩膜板與支撐該掩膜板的支撐架之間的墊片數量，導致待成膜基片與掩膜板之間距離的調整精度較低的問題。該磁控濺射臺包括掩膜板、升降機構以及待成膜基片。待成膜基片位于升降機構的承載面上，且掩膜板位于待成膜基片背離所述升降機構的一側。升降機構用于根據升降指令上升或下降，以對待成膜基片和掩膜板之間的距離進行調整。

技術領域

本發明涉及磁控濺射工藝技術領域，尤其涉及一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置。

背景技術

有機發光二極管(英文全稱：Organic Light Emitting Diode，英文簡稱：OLED)作為一種電流型發光器件，因其所具有的自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。

對于大尺寸的OLED顯示器而言，當該顯示器中的OLED器件為頂發射型時，可以采用透明導電材料作為OLED器件的陰極。構成該透明導電層的材料可以為IZO(英文全稱：Indium Zinc Oxide，中文全稱：銦氧化鋅)或者IGZO(英文全稱：Indium Gallium ZincOxide，中文全稱：銦鎵鋅氧化物)為等。具體的，當采用上述透明導電材料是，可以采用磁控濺射工藝形成OLED器件的陰極。

然而，當采用磁控濺射工藝制備OLED器件的陰極時，如果待成膜基片與掩膜板之間的距離較遠，將會導致Shadow(薄膜圖案化陰影)的出現。或者，如果待成膜基片與掩膜板之間的距離較近，待成膜基片會受到掩膜板較大的擠壓力，容易導致待成膜基片發生破損。

現有技術中，為了對待成膜基片與掩膜板之間的距離進行調整，通常會對掩膜板與支撐該掩膜板的掩膜板支撐架之間的墊片數量進行調整。然而，由于墊片的尺寸規格有限，因此很難使得調節后的間距達到理想值，從而降低了待成膜基片與掩膜板之間距離的調整精度。此外，在調整的過程中反復增減墊片，會導致調節過程繁瑣，降低了生產效率。

發明內容

本發明的實施例提供一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置，避免僅通過調整掩膜板與支撐該掩膜板的支撐架之間的墊片數量，導致待成膜基片與掩膜板之間距離的調整精度較低的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例的一方面，提供一種磁控濺射臺，包括掩膜板、升降機構以及待成膜基片；所述待成膜基片位于所述升降機構的承載面上，且所述掩膜板位于所述待成膜基片背離所述升降機構的一側；所述升降機構用于根據升降指令上升或下降，以對所述待成膜基片和所述掩膜板之間的距離進行調整。

優選的，所述升降機構包括多個均勻分布的升降組件；所述升降組件包括升降桿，以及與所述升降桿相連接的驅動器，所述驅動器用于驅動所述升降桿運動。

優選的，所述升降組件還包括設置于所述升降桿靠近所述待成膜基片一側的壓力感應部；所述壓力感應部與所述升降桿相連接，用于對升降桿的支撐力進行采集。

優選的，所述驅動器還與所述壓力感應部相連接，所述驅動器包括處理單元、驅動控制單元以及執行單元；所述處理單元與所述壓力感應部相連接，用于根據所述壓力感應部的采集結果計算出所述升降桿的位移補償值；所述驅動控制單元與所述處理單元相連接，用于根據所述位移補償值生成所述升降指令；其中所述升降指令與所述位移補償值相匹配；所述執行單元與所述驅動控制單元和所述升降桿相連接，用于根據所述升降指令控制所述升降桿的位移。

優選的，所述升降組件還包括連接所述升降桿和所述壓力感應部的緩沖部；所述緩沖部用于在所述升降桿上升或下降的過程中，對所述升降桿施加至所述壓力感應部件的作用力進行緩沖。