[發(fā)明專利]一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710002814.2 | 申請日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN106756779B | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 薛金祥;孫中元;周翔 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 以及 裝置 | ||
1.一種磁控濺射臺,其特征在于,包括掩膜板、升降機(jī)構(gòu)以及待成膜基片;
所述待成膜基片位于所述升降機(jī)構(gòu)的承載面上,且所述掩膜板位于所述待成膜基片背離所述升降機(jī)構(gòu)的一側(cè);所述升降機(jī)構(gòu)用于根據(jù)升降指令上升或下降,以對所述待成膜基片和所述掩膜板之間的距離進(jìn)行調(diào)整;
所述升降機(jī)構(gòu)包括多個均勻分布的升降組件;
所述升降組件包括升降桿,以及與所述升降桿相連接的驅(qū)動器,所述驅(qū)動器用于驅(qū)動所述升降桿運(yùn)動;
所述升降組件還包括設(shè)置于所述升降桿靠近所述待成膜基片一側(cè)的壓力感應(yīng)部;
所述壓力感應(yīng)部與所述升降桿相連接,用于對升降桿的支撐力進(jìn)行采集;
所述壓力感應(yīng)部包括封裝蓋、滾珠、杠桿支架以及安裝于所述杠桿支架上的多個傾斜設(shè)置的杠桿;
所述多個杠桿設(shè)置于所述滾珠周邊,每一個所述杠桿的一端與所述滾珠相接觸;所述封裝蓋上設(shè)置有用于露出所述滾珠的開孔,以使得所述滾珠與所述待成膜基片相接觸;
所述壓力感應(yīng)部還包括安裝于所述封裝蓋背離所述待成膜基片一側(cè)的多個壓電感應(yīng)器,所述壓電感應(yīng)器與所述杠桿一一對應(yīng),且所述壓電感應(yīng)器設(shè)置于所述杠桿的另一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射臺,其特征在于,所述驅(qū)動器還與所述壓力感應(yīng)部相連接,所述驅(qū)動器包括處理單元、驅(qū)動控制單元以及執(zhí)行單元;
所述處理單元與所述壓力感應(yīng)部相連接,用于根據(jù)所述壓力感應(yīng)部的采集結(jié)果計算出所述升降桿的位移補(bǔ)償值;
所述驅(qū)動控制單元與所述處理單元相連接,用于根據(jù)所述位移補(bǔ)償值生成所述升降指令;其中所述升降指令與所述位移補(bǔ)償值相匹配;
所述執(zhí)行單元與所述驅(qū)動控制單元和所述升降桿相連接,用于根據(jù)所述升降指令控制所述升降桿的位移。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射臺,其特征在于,所述升降組件還包括連接所述升降桿和所述壓力感應(yīng)部的緩沖部;所述緩沖部用于在所述升降桿上升或下降的過程中,對所述升降桿施加至所述壓力感應(yīng)部件的作用力進(jìn)行緩沖。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射臺,其特征在于,所述執(zhí)行單元為旋轉(zhuǎn)電機(jī),所述升降桿為絲杠;
所述升降機(jī)構(gòu)還包括固定安裝的固定板;所述固定板與所述待成膜基片平行;每一個所述絲杠穿過所述固定板,并與所述固定板相配合以構(gòu)成絲杠螺母副;
所述升降組件還包括安裝于所述固定板上的導(dǎo)軌,所述導(dǎo)軌的延伸方向與所述絲杠的延伸方向一致,所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)的機(jī)殼安裝于所述導(dǎo)軌上,所述絲杠在上升或下降的過程中帶動所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)沿所述導(dǎo)軌運(yùn)動。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射臺,其特征在于,所述執(zhí)行單元為液壓缸,所述升降桿與所述液壓缸的活塞桿相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射臺,其特征在于,所述緩沖部包括套筒以及彈簧;
所述彈簧的一端與所述套筒相連接,另一端與所述升降桿相連接;所述套筒扣合與所述升降桿上,且所述套筒背離所述升降桿的一端與所述壓力感應(yīng)部相連接。
7.一種磁控濺射裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的磁控濺射臺;
所述磁控濺射裝置還包括磁控濺射腔室,所述磁控濺射臺位于所述磁控濺射腔室內(nèi)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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