[發明專利]一種等離子刻蝕方法及等離子刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201710002475.8
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN106504971B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 李宛澤;劉軒;劉祖宏
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種等離子刻蝕方法及等離子刻蝕裝置。

背景技術

基板的制備過程中，常采用等離子體刻蝕的方式來形成基板上的預定圖案。等離子體刻蝕是利用高頻電源和反應氣體生成低溫等離子體，其包含離子和自由基，該離子和自由基與待刻蝕基板上未被光刻膠覆蓋的物質反應生成揮發性物質，從而達到刻蝕的效果。

現有技術是根據待刻蝕膜層的成分，分析出反應生成物化學式，再查找該生成物對應的溫度與蒸汽壓曲線，找到該生成物固態和氣態臨界點所對應的溫度，作為刻蝕腔室的溫度，對待刻蝕基板進行刻蝕。在整個刻蝕過程中，腔室內的溫度是固定不變的。

然而，由于刻蝕過程中刻蝕腔室內生成物的成分會有所變化，設置的固定腔室溫度不能與每種生成物的蒸汽壓完全匹配，導致部分生成物無法以氣態被抽出刻蝕腔室，而會以固態沉積在刻蝕腔室上部電極板或者刻蝕腔室內壁板等部件上，沉積物達到一定重量時會脫落掉在待刻蝕基板表面，導致基板產生異物類不良。

發明內容

本發明的實施例提供一種等離子刻蝕方法及等離子刻蝕裝置，可提高基板良率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種等離子刻蝕方法，包括：從刻蝕腔室中實時采集獲取波長-光強圖，并根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內含量最多的生成物；根據所述生成物實時控制所述刻蝕腔室內的溫度。

優選的，根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內含量最多的生成物，具體包括：根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內光強最強的波長；根據光強最強的波長，得到與其對應的生成物。

進一步優選的，所述方法還包括：采集獲取預設波長對應的時間-光強圖，并根據所述時間-光強圖，檢測與所述預設波長對應的膜層的刻蝕終點。

優選的，根據所述生成物實時控制所述刻蝕腔室內的溫度，具體包括：根據所述生成物得到所述生成物的固氣臨界溫度；控制所述刻蝕腔室的溫度等于所述固氣臨界溫度。

進一步優選的，根據所述生成物得到所述生成物的固氣臨界溫度，具體包括：根據所述生成物，通過所述生成物的溫度與蒸汽壓曲線，得到所述生成物的固氣臨界溫度。

或者，根據所述生成物，通過查找生成物-固氣臨界溫度對照表，得到所述生成物的固氣臨界溫度。

另一方面，提供一種等離子刻蝕裝置，包括：刻蝕腔室、終點探測結構、以及溫度控制結構；所述刻蝕腔室，用于對待刻蝕基板進行刻蝕；所述終點探測結構，用于從所述刻蝕腔室中實時采集獲取波長-光強圖，并根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內含量最多的生成物；所述溫度控制結構，用于根據所述生成物實時控制所述刻蝕腔室內的溫度。

優選的，所述終點探測結構，具體用于：從所述刻蝕腔室中實時采集獲取波長-光強圖；根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內光強最強的波長；根據光強最強的波長，得到與其對應的生成物。

進一步優選的，所述終點探測結構，還用于：采集獲取預設波長對應的時間-光強圖，并根據所述時間-光強圖，檢測與所述預設波長對應的膜層的刻蝕終點。

優選的，所述溫度控制結構，具體用于：根據所述生成物得到所述生成物的固氣臨界溫度；控制所述刻蝕腔室的溫度等于所述固氣臨界溫度。

基于上述，優選的，所述終點探測結構包括：光強采集器、光纖、以及控制器；所述光強采集器用于采集所述刻蝕腔室內各波長的光強信號，并通過所述光纖將所述光強信號傳輸至所述控制器；所述控制器將所述光強信號轉化為數字信號，獲取所述波長-光強圖。

本發明實施例提供一種等離子刻蝕方法及等離子刻蝕裝置，通過實時采集刻蝕腔室內的生成物，并根據生成物實時監控刻蝕腔室內的溫度，使得刻蝕腔室內的主要生成物能以氣態被抽出刻蝕腔室，而不會以固態沉積在刻蝕腔室內部，因此不會有沉積物脫落掉在待刻蝕基板表面，從而確保基板的良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種刻蝕腔室中各波長的波長-光強圖；

圖2為本發明實施例提供的一種各波長的光強隨時間變化圖；

圖3為本發明實施例提供的一種等離子刻蝕方法的流程圖；

圖4為本發明實施例提供的一種預設波長的光強隨時間變化圖；