[發明專利]一種等離子刻蝕方法及等離子刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201710002475.8
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN106504971B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 李宛澤;劉軒;劉祖宏
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種等離子刻蝕方法，其特征在于，包括：

從刻蝕腔室中實時采集獲取波長-光強圖，并根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內含量最多的生成物；

根據所述生成物得到所述生成物的固氣臨界溫度；

控制所述刻蝕腔室的溫度等于所述固氣臨界溫度。

2.根據權利要求1所述的等離子刻蝕方法，其特征在于，根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內含量最多的生成物，具體包括：

根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內光強最強的波長；

根據光強最強的波長，得到與其對應的生成物。

3.根據權利要求2所述的等離子刻蝕方法，其特征在于，還包括：

采集獲取預設波長對應的時間-光強圖，并根據所述時間-光強圖，檢測與所述預設波長對應的膜層的刻蝕終點。

4.根據權利要求1所述的等離子刻蝕方法，其特征在于，根據所述生成物得到所述生成物的固氣臨界溫度，具體包括：

根據所述生成物，通過所述生成物的溫度與蒸汽壓曲線，得到所述生成物的固氣臨界溫度；或者，

根據所述生成物，通過查找生成物-固氣臨界溫度對照表，得到所述生成物的固氣臨界溫度。

5.一種等離子刻蝕裝置，其特征在于，包括：刻蝕腔室、終點探測結構、以及溫度控制結構；

所述刻蝕腔室，用于對待刻蝕基板進行刻蝕；

所述終點探測結構，用于從所述刻蝕腔室中實時采集獲取波長-光強圖，并根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內含量最多的生成物；

所述溫度控制結構，用于根據所述生成物得到所述生成物的固氣臨界溫度；控制所述刻蝕腔室的溫度等于所述固氣臨界溫度。

6.根據權利要求5所述的等離子刻蝕裝置，其特征在于，所述終點探測結構，具體用于：

從所述刻蝕腔室中實時采集獲取波長-光強圖；

根據所述波長-光強圖，得到所述刻蝕腔室內光強最強的波長；

根據光強最強的波長，得到與其對應的生成物。

7.根據權利要求6所述的等離子刻蝕裝置，其特征在于，所述終點探測結構，還用于：

采集獲取預設波長對應的時間-光強圖，并根據所述時間-光強圖，檢測與所述預設波長對應的膜層的刻蝕終點。

8.根據權利要求5-7任一項所述的等離子刻蝕裝置，其特征在于，所述終點探測結構包括：光強采集器、光纖、以及控制器；

所述光強采集器用于采集所述刻蝕腔室內各波長的光強信號，并通過所述光纖將所述光強信號傳輸至所述控制器；

所述控制器將所述光強信號轉化為數字信號，獲取所述波長-光強圖。