[發明專利]用于監視處理室的設備

有效

• 申請號: 201710001539.2
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN107017176B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 普羅托波波夫·弗拉基米爾;黃基鎬;成德鏞;吳世真;印杰;張圣虎;全允珖
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本發明可提供一種用于監視處理室的內部的設備，所述設備包括：處理室，其包括室主體和限定在室主體中的觀察口；蓋部分，其在一端包括針孔，所述蓋部分布置為對應于觀察口的端部，所述蓋部分在朝著處理室的中心的方向上具有第一長度；以及感測單元，其插入觀察口中以通過針孔監視處理室的內部，基于所述第一長度來確定處理室中將通過感測單元感測的區。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年1月27日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2016-0009899的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及用于監視處理室的設備。

背景技術

在用于制造半導體組件或者LCD組件的等離子體蝕刻設備中，執行利用RF功率的等離子體蝕刻工藝。具體地說，在晶圓制造工藝中，使用氧化硅膜來形成層間絕緣膜，使用摻有雜質的多晶硅來形成電容器，并且使用利用等離子體的干法蝕刻工藝來執行氧化硅膜或多晶硅層的圖案化。

作為干法蝕刻工藝，有一種使用高密度等離子體(HDP)源系統的變壓器耦合等離子體(TCP)蝕刻方法。在利用TCP蝕刻方法的TCP蝕刻設備中，在室內部的底部上安裝晶圓，在室的一側上安裝用于將處理氣體注射至室中的處理氣體注射管，并且當將處理氣體注射至室中并同時產生RF功率時，在室的內部產生等離子體以蝕刻晶圓的頂表面。

發明內容

本發明構思的一方面提供了一種用于監視處理室的設備，以按照非穿透監視方式檢查處理存在還是不存在異常，同時不影響處理的執行。

本發明構思的另一方面提供了一種用于監視處理室的設備，其能夠監視處理室的中心部分和處理室的外部分二者。

本發明構思的又一方面提供了一種用于監視處理室的設備，以監視在處理室的晶圓表面水平的處理物質的分布程度。

然而，本發明構思的各方面不限于本文闡述的這些。通過參照下面提供的本發明構思的具體說明，本發明構思的以上和未提及的其它方面對于本發明構思所屬領域的普通技術人員之一將變得更加清楚。

根據本發明構思的示例實施例，一種用于監視處理室的內部的設備包括：處理室，其包括室主體和限定在室主體中的觀察口；蓋部分，其在一端包括針孔，所述蓋部分布置為對應于觀察口的端部，所述蓋部分在朝著處理室的中心的方向上具有第一長度；以及感測單元，其插入觀察口中以通過針孔監視處理室的內部，基于所述第一長度來確定處理室中將通過感測單元感測的區。

根據本發明構思的示例實施例，一種用于監視處理室的內部的設備包括：處理室，其包括室主體，所述室主體包括限定在其中的第一觀察口和第二觀察口；第一蓋部分，其包括第一針孔，第一蓋部分布置為對應于第一觀察口的端部；第一感測單元，其插入第一觀察口中，以通過第一針孔監視處理室的內部中的第一感測區；第二蓋部分，其包括第二針孔，第二蓋部分布置為對應于第二觀察口的端部；以及第二感測單元，其插入第二觀察口中，以通過第二針孔監視處理室的內部中的第二感測區，第二感測區與第一感測區不同。

根據本發明構思的示例實施例，一種用于監視處理室的內部的設備包括：處理室，其包括限定在其中的容納空間；一個或多個圖像拾取單元，它們各自構造為監視容納空間中的處理物質的分布狀態，所述一個或多個圖像拾取單元各自構造為通過調整其焦距改變處理室中的監視區；以及一個或多個處理器，它們構造為通過利用來自所述一個或多個圖像拾取單元的監視結果執行一個或多個算術操作來獲得容納空間的底表面上的處理物質的密度分布。