[發明專利]表面處理銅箔

有效

• 申請號: 201710001200.2
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN107018624B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 三木敦史;福地亮;新井英太
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09;H05K3/38;C25D3/12;C25D3/56;C25D5/14
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉

本發明提供一種表面處理銅箔，其在常溫下與絕緣基板的密接性優異，且在構成覆銅箔積層板并施加回流焊的熱負荷時能夠抑制發生起泡。本發明涉及一種表面處理銅箔，其具有表面處理面，且通過從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的XPS測定，滿足以下任一個以上條件：(1)N濃度為1.5～7.5atom％；(2)C濃度為12～30atom％；(3)Si濃度為3.1atom％以上且O濃度為40～48atom％。

技術領域

本發明涉及一種覆銅箔積層板用表面處理銅箔。

背景技術

一般而言，印刷配線板是經過如下步驟來制造：使絕緣基材粘接于銅及銅合金箔(以下稱為“銅箔”)而制成覆銅箔積層板后，通過蝕刻在銅箔面形成導體圖案。然后，通過利用焊料等將電子零件連接并安裝在印刷配線板上，而制造印刷電路板。

作為印刷配線板用銅箔所要求的特性之一，可列舉與絕緣基材良好的密接性，以銅箔表面的粗化處理技術為中心，迄今為止已開發出各種技術(例如WO2011/138876、日本特開2011-168887號公報)。

另一方面，也已知通過利用硅烷偶聯劑對銅箔表面進行處理，與絕緣基材的密接性提高(例如日本特開2011-168887號公報、日本專利特開2008-118163號公報)。并且，還已知有如下技術：由于銅箔表面的N濃度及Si濃度會對與絕緣基材的密接性產生顯著影響，所以通過利用特定濃度的硅烷偶聯劑對銅箔表面進行處理等，來控制N濃度及Si濃度(例如WO2013/147116)。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]WO2011/138876

[專利文獻2]日本特開2011-168887號公報

[專利文獻3]日本特開2008-118163號公報

[專利文獻4]WO2013/147116。

發明內容

[發明所要解決的課題]

WO2013/147116所記載的控制銅箔表面的N濃度及Si濃度的技術是在提高與絕緣基材的密接性方面有效的技術。另一方面，如上所述，在印刷電路板的制造步驟中，多數情況下利用焊料進行電子零件的安裝，回流焊時也會對銅箔及絕緣基材施加熱負荷。近來，關于針對由回流焊產生的高溫熱負荷的可靠性，逐漸要求300℃以上的耐受性。然而，已知WO2013/147116所記載的利用硅烷偶聯劑進行過表面處理的覆銅箔積層板雖然獲得良好的密接性，但因300℃以上的回流焊的熱負荷而容易在覆銅箔積層板上發生起泡(鼓出)。在容易因熱負荷而發生起泡的覆銅箔積層板中，安裝電子零件時容易產生電路變形或剝離。因此，有利的是提供一種覆銅箔積層板，其不僅在常溫下具有良好的密接性，而且在熱負荷時抑制發生起泡。

本發明是鑒于所述情況而創制的，其課題之一在于提供一種表面處理銅箔，其在常溫下與絕緣基板的密接性優異，且在構成覆銅箔積層板并施加回流焊的熱負荷時能夠抑制發生起泡。另外，本發明的其他課題之一在于提供一種具備這種表面處理銅箔的覆銅箔積層板。

[解決課題的技術手段]

本發明人等為了解決所述課題而進行了努力研究，結果發現：在WO2013/147116中是控制表面處理銅箔的表面的XPS survey測定中的N及Si的濃度，但為了抑制加熱時的起泡，重要的是控制表面處理銅箔的表面的深度方向上的N濃度、C濃度、或Si及O濃度的組合。

本發明的一個形態是一種表面處理銅箔，其具有表面處理面，且從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的N濃度為1.5～7.5atom％。