[發明專利]表面處理銅箔

有效

• 申請號: 201710001200.2
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN107018624B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 三木敦史;福地亮;新井英太
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09;H05K3/38;C25D3/12;C25D3/56;C25D5/14
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉

1.一種表面處理銅箔，其具有表面處理面，且從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的N濃度為1.5～7.5atom％。

2.一種表面處理銅箔，其具有表面處理面，且從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的C濃度為12～30atom％。

3.一種表面處理銅箔，其具有表面處理面，且從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的Si濃度為3.1atom％以上，且O濃度為40～48atom％。

4.一種表面處理銅箔，其具有表面處理面，且滿足以下任兩個以上條件：

·從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的N濃度為1.5～7.5atom％；

·從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的C濃度為12～30atom％；

·從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行0.5min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的Si濃度為3.1atom％以上，且O濃度為40～48atom％。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行1.0min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的N濃度為0.5～6.0atom％。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，從表面處理面以速率1.1nm/min(SiO₂換算)的條件進行1.0min濺鍍后的深度處的由XPS測定所獲得的C濃度為8～25atom％。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，表面處理面的Rz為1.5μm以下。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，銅箔為壓延銅箔或電解銅箔。

9.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其用于與液晶聚合物的接合。

10.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其用于與聚酰亞胺樹脂的接合。

11.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其用于在超過1GHz的高頻下使用的印刷電路板。

12.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，在銅箔表面具有選自由粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯處理層所組成的群中的1種以上的層。

13.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，在銅箔表面具有選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯處理層所組成的群中的1種以上的層。

14.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，在銅箔表面具有耐熱處理層或防銹處理層，在所述耐熱處理層或防銹處理層之上具有鉻酸鹽處理層，在所述鉻酸鹽處理層之上具有硅烷偶聯處理層。

15.根據權利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，在銅箔表面具有耐熱處理層，在所述耐熱處理層之上具有防銹處理層，在所述防銹處理層之上具有鉻酸鹽處理層，在所述鉻酸鹽處理層之上具有硅烷偶聯處理層。