[其他]薄膜器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201690000491.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207425835U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘆峰智行;小宮山卓;中磯俊幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/822 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青煒 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜電阻元件 樹(shù)脂層 薄膜器件 膨脹 基板 破損 本實(shí)用新型 電阻薄膜 高溫狀態(tài) 彎曲應(yīng)力 下樹(shù)脂層 壓入 薄膜 俯視 施加 束縛 緩和 配置 | ||
1.一種薄膜器件,其特征在于,具備:
基板;以及
多個(gè)樹(shù)脂層,它們層疊于所述基板的一個(gè)主面?zhèn)龋?/p>
所述多個(gè)樹(shù)脂層包括:
第一樹(shù)脂層,在所述第一樹(shù)脂層的一個(gè)主面設(shè)置有通過(guò)薄膜形成工序形成的薄膜電阻元件;以及
第二樹(shù)脂層,其配置于所述第一樹(shù)脂層的與所述基板相反的一側(cè),并在所述第二樹(shù)脂層的一個(gè)主面設(shè)置有通過(guò)薄膜形成工序形成的第一束縛用薄膜,
所述薄膜電阻元件與所述第一束縛用薄膜配置為在俯視下重疊,
所述薄膜電阻元件的從一端部直至其另一端部的整體在俯視下與所述第一束縛用薄膜重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件,其特征在于,
所述薄膜電阻元件為多個(gè)薄膜電阻元件,
所述多個(gè)薄膜電阻元件中的全部薄膜電阻元件的從一端部直至另一端部的整體在俯視下與所述第一束縛用薄膜重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件,其特征在于,
在所述第二樹(shù)脂層的一個(gè)主面形成有布線用薄膜電極,該布線用薄膜電極通過(guò)薄膜形成工序形成并與所述薄膜電阻元件電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜器件,其特征在于,
在所述第二樹(shù)脂層的一個(gè)主面形成有布線用薄膜電極,該布線用薄膜電極通過(guò)薄膜形成工序形成并與所述薄膜電阻元件電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜器件,其特征在于,
所述第一束縛用薄膜與所述布線用薄膜電極分離地形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜器件,其特征在于,
所述第一束縛用薄膜與所述布線用薄膜電極分離地形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜器件,其特征在于,
所述第一束縛用薄膜與所述布線用薄膜電極一體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜器件,其特征在于,
所述第一束縛用薄膜與所述布線用薄膜電極一體形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的薄膜器件,其特征在于,
所述多個(gè)樹(shù)脂層還包括:第三樹(shù)脂層,該第三樹(shù)脂層配置于所述第一樹(shù)脂層的所述基板側(cè),并在該第三樹(shù)脂層的一個(gè)主面設(shè)置有通過(guò)薄膜形成工序形成的第二束縛用薄膜,
所述薄膜電阻元件與所述第二束縛用薄膜配置為在俯視下重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的薄膜器件,其特征在于,
所述薄膜電阻元件含有Si。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜器件,其特征在于,
所述薄膜電阻元件含有Si。
12.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的薄膜器件,其特征在于,具備:
第一~第四外部電極;
可變?nèi)萘啃偷谋∧る娙萜髟?,其在所述第一、第二外部電極間串聯(lián)連接;
第一所述薄膜電阻元件,該第一所述薄膜電阻元件的一端與所述第三外部電極連接;以及
第二所述薄膜電阻元件,該第二所述薄膜電阻元件的一端與所述第四外部電極連接,
使所述第一、第二薄膜電阻元件各自的另一端分別與所述薄膜電容器元件的兩端連接,以便在所述第一、第二薄膜電阻元件的另一端之間插入所述薄膜電容器元件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





