[其他]薄膜器件有效
| 申請號: | 201690000491.2 | 申請日: | 2016-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN207425835U | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發明(設計)人: | 蘆峰智行;小宮山卓;中磯俊幸 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L21/822 | 分類號: | H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青煒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜電阻元件 樹脂層 薄膜器件 膨脹 基板 破損 本實用新型 電阻薄膜 高溫狀態 彎曲應力 下樹脂層 壓入 薄膜 俯視 施加 束縛 緩和 配置 | ||
本實用新型目的在于提供防止由于因樹脂層膨脹產生的應力而使薄膜電阻元件破損從而能夠得到可靠性高的薄膜器件的技術。通過在配置于樹脂層(3)的與基板(1)相反的一側的樹脂層(4)形成為在俯視中與薄膜電阻元件(電阻薄膜(12))重疊的第一束縛用薄膜(14),能夠將薄膜電阻元件相對于基板(1)壓入,因此能夠緩和由于在高溫狀態下樹脂層(2~4)膨脹而施加于薄膜電阻元件的彎曲應力,能夠防止由于因樹脂層(2~4)的膨脹產生的應力而使薄膜電阻元件破損。
技術領域
本實用新型涉及具備薄膜電阻元件的薄膜器件。
背景技術
以往,提供具備薄膜電阻元件的各種的薄膜器件(例如專利文獻1 參照)。例如,圖7所示的以往的薄膜器件500具備:形成在半導體基板501上的集成電路502、配置在集成電路502上的多個電極焊盤503、以及形成在設置于各電極焊盤503間的鈍化膜504上的樹脂層505。另外,樹脂層505由聚酰亞胺樹脂、環氧樹脂等形成,并在樹脂層505的與電極焊盤503重疊的位置設置有貫通孔。另外,貫通孔內經由阻擋金屬層506與電極焊盤503連接的再布線507形成在樹脂層505上。而且,在樹脂層505上的隔著再布線507的位置設置有薄膜電阻元件508。
圖7所示的薄膜器件500中,薄膜電阻元件508具備:阻擋金屬層 506、和層疊在阻擋金屬層506上的籽晶層509。阻擋金屬層506由Ti、 TiN、Ni等形成,并為了提高電極焊盤503與再布線507的緊貼性而設置。另外,籽晶層509作為通過電鍍法形成再布線507時的電極發揮功能,并由Cu、Al等形成。而且,通過適當地調整阻擋金屬層506以及籽晶層509各自的膜厚,可調整薄膜電阻元件508的電阻值。
專利文獻1:日本特開2009-267248號公報(段落0012、0016、0017、圖1等)
然而,圖7所示的薄膜器件500在其他的基板等安裝等的熱循環中被加熱的情況下,由于樹脂層505膨脹等對薄膜電阻元件508施加彎曲應力,從而存在薄膜電阻元件508破損的擔憂。
實用新型內容
本實用新型是鑒于上述的課題而完成的,目的在于提供一種技術,其能夠防止由于因樹脂層膨脹產生的應力等而使薄膜電阻元件破損的情況從而能夠得到可靠性高的薄膜器件。
為了實現上述的目的,本實用新型的薄膜器件的特征在于,具備:基板;以及多個樹脂層,它們層疊于上述基板的一個主面側,上述多個樹脂層包括:第一樹脂層,在上述第一樹脂層的一個主面設置有通過薄膜形成工序形成的薄膜電阻元件;以及第二樹脂層,其配置于上述第一樹脂層的與上述基板相反的一側,并在上述第二樹脂層的一個主面設置有通過薄膜形成工序形成的第一束縛用薄膜,上述薄膜電阻元件與上述第一束縛用薄膜配置為在俯視中重疊,上述薄膜電阻元件的從一端部直至其另一端部的整體在俯視下與上述第一束縛用薄膜重疊。
在這樣構成的實用新型中,在其他基板等安裝等時的熱循環中對薄膜器件進行了加熱的情況下,形成有薄膜電阻元件的第一樹脂層欲朝向與熱膨脹率小的基板相反的一側膨脹,但在配置于第一樹脂層的與基板相反的一側的第二樹脂層形成第一束縛用薄膜,以便在俯視中與形成于第一樹脂層的薄膜電阻元件重疊。因此,成為薄膜電阻元件通過第一束縛用薄膜壓入基板的狀態,從而能夠緩和高溫狀態下由于樹脂層膨脹而施加于薄膜電阻元件的彎曲應力,因此能夠防止由于因樹脂層膨脹而產生的應力使薄膜電阻元件破損。
上述薄膜電阻元件為多個薄膜電阻元件,上述多個薄膜電阻元件中的全部薄膜電阻元件的從一端部直至另一端部的整體在俯視下與上述第一束縛用薄膜重疊。
另外,也可以在上述第二樹脂層的一個主面形成有布線用薄膜電極,該布線用薄膜電極通過薄膜形成工序形成并與上述薄膜電阻元件電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





