[發明專利]氣體產生裝置有效
| 申請號: | 201680091718.3 | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN110088038B | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 田畑要一郎;小野祐司;佐藤貴翔 | 申請(專利權)人: | 東芝三菱電機產業系統株式會社 |
| 主分類號: | C01B13/11 | 分類號: | C01B13/11 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 產生 裝置 | ||
本發明的目的在于,提供一種實現裝置整體的結構緊湊化、而且安裝了多個氣體產生器單元的氣體產生裝置。本發明的氣體產生裝置具有:6臺氣體產生器單元(4a~4f),各個氣體產生器單元具有氣體產生器(43);一個單位的多交流電源部(3001),對6臺氣體產生器單元(4a~4f)供給6個高頻交流電壓;一個單位的氣體控制部(3003),控制6臺氣體產生器單元(4a~4f)的原料氣體及輸出氣體;以及一個單位的控制操作部構成部(3002),執行交流電力控制動作,使得分別供給彼此獨立的具有期望的電量的6種高頻交流電壓。并且,6臺氣體產生器單元(4a~4f)、一個單位的多交流電源部(3001)、氣體控制部(3003)及控制操作部構成部(3002)被設置成一體。
技術領域
本發明涉及安裝了多個氣體產生器單元的氣體產生裝置。
背景技術
在半導體制造裝置中,在對晶片面進行烘干清洗或蝕刻處理或抗蝕劑剝離處理或絕緣薄膜處理時,采用利用放電的所產生的氣體濃度、流量不同的氣體產生器等各種各樣的氣體產生器,在多個半導體制造工序中需要多個氣體產生器。
考慮對以半導體制造處理工序等為代表的需要臭氧等氣體的供給的多氣體處理工序供給多種氣體的情況。在這種情況下,通常可以考慮構建氣體供給系統,其對應多氣體處理工序設置分別包括氣體產生器、氣體產生用電源、流量控制器(MFC)等的多個氣體產生機構,各氣體產生機構獨立進行應對。
即,氣體供給系統為了應對多氣體處理工序,需要分別設置多個氣體產生器、氣體產生用電源、通過控制原料氣體流量的MFC等供給至氣體產生器的原料氣體的配管系統、針對從氣體產生器產生的氣體即輸出氣體的濃度檢測器、具有流量計的輸出氣體配管系統等。
為了構建與這樣的多氣體處理工序對應的基于放電等的氣體產生系統,需要非常龐大的空間,還要對多氣體處理工序進行統一控制,在構建供給所產生的氣體的系統的情況下,將成為更大的系統結構,存在成本方面或配置空間等的問題,在實際應用上具有諸多不利。
以往,對應多氣體處理工序的第一代的氣體產生裝置,通過安裝多臺由氣體產生器單元、氣體產生用電源單元、氣體控制單元及電氣控制單元構成的單元組來實現。另外,氣體控制單元是將經由控制原料氣體流量的MFC等供給至氣體產生器的原料氣體的配管系統、針對從氣體產生單元內的氣體產生器產生的氣體即輸出氣體的濃度檢測器、具有流量計的輸出氣體配管系統等一體化得到的單元。電氣控制單元是控制氣體控制單元及輸出氣體的濃度或氣體量的單元。
這樣的第一代的氣體產生裝置需要設置多個上述的單元組來構成,裝置結構變大,因而難以增多單元組的數量。
在對應多氣體處理工序的第二代的氣體產生裝置中,作為針對多氣體處理工序的氣體供給方式有臭氧氣體供給,作為安裝了多臺氣體產生器單元的氣體產生裝置,例如可以舉出專利文獻1公開的臭氧系統、專利文獻2公開的臭氧氣體供給系統。
例如,在專利文獻1公開的臭氧系統中采用如下方式的臭氧氣體供給系統,即,增大一套臭氧產生器的容量,將輸出臭氧氣體的配管系統分離成多個配管,向多臭氧處理裝置步進地輸出針對各自的規定流量、規定濃度的臭氧氣體。
另外,在專利文獻2公開的臭氧氣體供給系統中采用如下結構,在一套的臭氧產生單元中安裝氣體產生器、氣體產生用電源、經由控制原料氣體流量的MFC等供給至氣體產生器的原料氣體的配管系統、針對從氣體產生器產生的氣體即輸出氣體的濃度檢測器、流量計等,將由此而一體化的臭氧產生單元安裝多段。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特表2009-500855號公報(圖2、圖3、圖5)
專利文獻2:國際公開第2011/065087號
發明內容
發明要解決的問題
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