[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造裝置以及半導(dǎo)體制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680091640.5 | 申請日: | 2016-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN110073479B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田中博司 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 制造 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明的目的在于提供以下這樣的半導(dǎo)體制造裝置以及半導(dǎo)體制造方法,即,連同在晶片或者形成于晶片的厚度測定對象的表面形成有臺階的情況也包含在內(nèi),能夠?qū)穸葴y定對象的表面的厚度高精度地進(jìn)行計算。半導(dǎo)體制造裝置具備厚度計算功能(100),厚度計算功能(100)具備:測定值取得部(1),其從對晶片的厚度進(jìn)行測定的厚度測定功能(50)取得晶片的不同的測定位置處的多個測定值;直方圖數(shù)據(jù)創(chuàng)建部(2),其基于多個測定值而創(chuàng)建直方圖數(shù)據(jù);以及分級組提取部(3),其從直方圖數(shù)據(jù)提取分級組,分級組是指具有大于或等于預(yù)先確定的次數(shù)的次數(shù)的連續(xù)的分級,厚度計算功能還具備:代表值計算部(4),其基于提取出的分級組所含有的分級而對測定區(qū)域的厚度的代表值進(jìn)行計算。
技術(shù)領(lǐng)域
在本說明書中,將“晶片或者在晶片形成的厚度測定對象”簡單表達(dá)為“厚度測定對象”。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝置以及半導(dǎo)體制造方法,特別地,涉及對厚度測定對象的厚度進(jìn)行計算的半導(dǎo)體制造裝置以及半導(dǎo)體制造方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體的制造工序中,為了確認(rèn)是否適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行了成膜、蝕刻等處理,對厚度測定對象的厚度進(jìn)行測定。作為對厚度測定對象的厚度進(jìn)行測定的方法,公開了例如使用光學(xué)傳感器的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)1)。在厚度測定對象的多個部位對厚度測定對象的厚度進(jìn)行測定,根據(jù)該測定值對測定區(qū)域的厚度的代表值進(jìn)行計算,由此能夠更高精度地得到厚度測定對象的厚度。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-075124號公報
發(fā)明內(nèi)容
下面,作為厚度測定對象的例子,對晶片本身的厚度測定進(jìn)行說明。在半導(dǎo)體的制造工序中,有時需要針對在晶片表面形成了多個溝槽等臺階的晶片求出厚度。在這種情況下,以往,例如,將晶片之上的指定的坐標(biāo)處的測定值設(shè)為測定區(qū)域的厚度的代表值。但是,在指定的坐標(biāo)處的測定值是溝槽的底部的測定值的情況下,代表值不能準(zhǔn)確反映晶片表面的厚度。
另外,以往,例如,將全部的測定值的平均值設(shè)為測定區(qū)域的厚度的代表值。但是,在計算平均值時還包含有溝槽的底部的測定值,因此不能準(zhǔn)確地反映晶片表面的厚度。
另外,以往,例如,將測定值中的最頻值設(shè)為測定區(qū)域的厚度的代表值。但是,有時最頻值示出的是溝槽的底部處的晶片厚度,因此將最頻值設(shè)為晶片表面的厚度是不適當(dāng)?shù)摹?/p>
本發(fā)明就是為了解決上述這樣的課題而提出的,其目的在于提供以下這樣的半導(dǎo)體制造裝置以及半導(dǎo)體制造方法,即,即使是在厚度測定對象的表面形成有溝槽等臺階的情況下,也能夠?qū)穸葴y定對象的表面的厚度高精度地進(jìn)行計算。
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體制造裝置是對厚度測定對象實(shí)施用于制造半導(dǎo)體的處理的半導(dǎo)體制造裝置,該半導(dǎo)體裝置具備厚度測定對象的厚度計算功能,厚度計算功能具備:測定值取得部,其從對厚度測定對象的厚度進(jìn)行測定的厚度測定功能取得不同的測定位置處的多個測定值;直方圖數(shù)據(jù)創(chuàng)建部,其基于多個測定值而創(chuàng)建直方圖數(shù)據(jù);以及分級組提取部,其從直方圖數(shù)據(jù)提取分級組,分級組是指具有大于或等于預(yù)先確定的次數(shù)的次數(shù)的連續(xù)的分級,厚度計算功能還具備:代表值計算部,其基于提取出的分級組所含有的分級而對測定區(qū)域的厚度的代表值進(jìn)行計算。
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體制造方法是對厚度測定對象實(shí)施用于制造半導(dǎo)體的處理的半導(dǎo)體制造方法,半導(dǎo)體制造方法具備對厚度測定對象的厚度進(jìn)行計算的工序,對厚度進(jìn)行計算的工序具備:工序(a),從對厚度測定對象的厚度進(jìn)行測定的厚度測定功能取得不同的測定位置處的多個測定值;工序(b),基于多個測定值而創(chuàng)建直方圖數(shù)據(jù);以及工序(c),從直方圖數(shù)據(jù)提取分級組,分級組是指具有大于或等于預(yù)先確定的次數(shù)的次數(shù)的連續(xù)的分級,對厚度進(jìn)行計算的工序還具備:工序(d),基于提取出的分級組所含有的分級而對測定區(qū)域的厚度的代表值進(jìn)行計算。
發(fā)明的效果
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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