[發明專利]半導體制造裝置以及半導體制造方法

有效

• 申請號: 201680091640.5
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN110073479B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 田中博司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體制造裝置，其對晶片實施用于制造半導體的處理，

所述半導體制造裝置具備厚度計算功能，

所述厚度計算功能具備：

測定值取得部，其從沿著所述晶片的表面對所述晶片或者在所述晶片形成的厚度測定對象的厚度進行測定的厚度測定功能取得所述晶片的不同的測定位置處的多個測定值；

直方圖數據創建部，其基于所述多個測定值而創建直方圖數據；以及

分級組提取部，其從所述直方圖數據提取分級組，

所述分級組是具有大于或等于預先確定的次數的次數的連續的分級，

所述厚度計算功能還具備：代表值計算部，其基于提取出的所述分級組所含有的分級而對測定區域的厚度的代表值進行計算。

2.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于包含最大的分級的所述分級組所含有的分級而對所述代表值進行計算。

3.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于包含最小的分級的所述分級組所含有的分級而對所述代表值進行計算。

4.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于包含最大的分級的所述分級組所含有的分級而對所述代表值進行計算，將從計算得到的所述代表值減去預先確定的厚度值而得到的值，作為應基于包含最小的分級的所述分級組所含有的分級來計算的代表值的代替值而進行計算。

5.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于包含最小的分級的所述分級組所含有的分級而對所述代表值進行計算，將向計算得到的所述代表值加上預先確定的厚度值而得到的值，作為應基于包含最大的分級的所述分級組所含有的分級來計算的代表值的代替值而進行計算。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部針對所述分級組，將向各分級的中值乘以該分級的次數而得到的值的總和除以所述分級組所含有的次數的合計值作為所述代表值。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部針對所述分級組，將最大的分級的中值與最小的分級的中值的平均值設為所述代表值。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部針對所述分級組，將次數最大的分級的中值設為所述代表值。

9.根據權利要求1、2、4中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部針對包含最大的分級的所述分級組，將從大的分級側起次數從增變為減的邊界的分級的中值設為代表值。

10.根據權利要求1、3、5中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部針對包含最小的分級的所述分級組，將從小的分級側起次數從增變為減的邊界的分級的中值設為代表值。

11.根據權利要求1、2、4中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于從所述分級組所含有的最大的分級向小的分級側新設定的與所述分級組相比向小的分級側擴寬的分級范圍所含有的分級而對所述代表值進行計算。

12.根據權利要求1、3、5中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于從所述分級組所含有的最小的分級向大的分級側新設定的與所述分級組相比向大的分級側擴寬的分級范圍所含有的分級而對所述代表值進行計算。

13.根據權利要求1、2、4中任一項所述的半導體制造裝置，其中，

所述代表值計算部基于從所述分級組所含有的最大的分級向小的分級側新設定的與所述分級組相比在小的分級側縮窄的分級范圍所含有的分級而對所述代表值進行計算。