[發明專利]用于系統級封裝設備的與銅柱連接的裸管芯智能橋有效
| 申請號: | 201680091214.1 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN110024117B | 公開(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發明(設計)人: | G·塞德曼;T·瓦格納;A·沃爾特;B·魏達斯 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H10B80/00 | 分類號: | H10B80/00;H01L23/538;H01L23/00;H01L23/498;H01L21/768;H01L23/31 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 系統 封裝 設備 連接 管芯 智能 | ||
一種系統級封裝設備包括半導體橋,該半導體橋使用裸管芯柱與諸如處理器管芯的半導體器件耦合。該設備實現了薄形狀因子。
技術領域
本公開涉及系統級封裝配置,其中裸管芯半導體連接器與兩個器件之間的銅柱耦合。
背景技術
封裝小型化帶來了器件集成挑戰,其中薄型設備是有用的,但在使封裝小型化的同時,有源和無源器件兩者的互連需要物理保護和熱管理。
附圖說明
在附圖的圖示中通過舉例而非限制的方式示出了所公開的實施例,在附圖中類似的附圖標記指代相似的元件,在附圖中:
圖1是根據實施例的包括半導體橋的系統級封裝設備的截面立視圖;
圖1A是根據實施例的圖1中所示的系統級封裝設備在組裝期間的截面立視圖;
圖1B是根據實施例的在進一步處理圖1A中所示結構之后的圖1中所示系統級封裝設備的截面立視圖;
圖1C是根據實施例的在進一步處理圖1B中所示結構之后的圖1中所示系統級封裝設備的截面立視圖;
圖1D是根據實施例的在進一步處理圖1C中所示結構之后的圖1中所示系統級封裝設備的截面立視圖;
圖2是根據實施例的包括重新分布層以及至少半導體橋和第一集成電路管芯的系統級封裝設備的截面立視圖;
圖2C是根據實施例的在進一步處理例如圖1A和圖1B中所示結構之后的圖2中所示系統級封裝設備的截面立視圖;
圖2D是根據實施例的在進一步處理圖2C中所示結構之后的圖2中所示系統級封裝設備的截面立視圖;
圖3是根據實施例的包括重新分布層和包括穿硅過孔的半導體橋中的至少一個的系統級封裝設備的截面立視圖;
圖4是根據實施例的包括多個半導體橋的系統級封裝設備的截面立視圖;
圖5是根據實施例示出了包括耦合到互連柱的至少一個半導體橋的系統級封裝的組裝的工藝流程圖;以及
圖6被包括以示出用于所公開實施例的更高級器件應用的示例。
具體實施方式
公開的實施例包括裸管芯智能連接器,其使用附著在諸如模制化合物的塊體中的半導體橋。智能連接器耦合到用于耦合諸如處理器的半導體器件的互連柱。
圖1是根據實施例的包括半導體橋10的系統級封裝設備100的截面立視圖。半導體橋10可以被稱為智能管芯連接器10。半導體橋10可以被稱為裸管芯硅橋10。
半導體橋10附著在諸如包封材料110的塊體110中。半導體橋10包括有源表面112和背側表面114。塊體110包括管芯側116和連接盤側118。在實施例中,背側表面114被完全包圍在塊體110中。
在實施例中,塊體110為用于包封諸如半導體橋10的半導體器件的模制化合物。在實施例中,塊體110為用于包封諸如半導體橋10的半導體器件的諸如熱固化樹脂材料的模制化合物。
系統級封裝(SiP)設備100還包括也附著在塊體110中的互連封裝13。在實施例中,互連封裝13為層合結構13,其在管芯側116和連接盤側118之間提供互連-和-跡線互連(如圖2D所示)。在實施例中,互連封裝13為包括過孔條(如圖2C所示)的貫穿封裝過孔結構13,過孔條直接在管芯側116和連接盤側118之間穿過互連封裝13。在實施例中,互連封裝13由諸如FR4構造的有機材料制成。在實施例中,互連封裝13由半導體材料制成。在實施例中,互連封裝13由諸如玻璃構造的無機材料制成。
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