[發(fā)明專利]用于系統(tǒng)級封裝設(shè)備的與銅柱連接的裸管芯智能橋

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680091214.1
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN110024117B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·塞德曼;T·瓦格納;A·沃爾特;B·魏達(dá)斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H10B80/00
• 分類號: H10B80/00;H01L23/538;H01L23/00;H01L23/498;H01L21/768;H01L23/31
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種系統(tǒng)級封裝設(shè)備，包括：

在模制化合物中的半導(dǎo)體橋，所述半導(dǎo)體橋具有頂表面、底表面、在所述頂表面和所述底表面之間的第一側(cè)、以及在所述頂表面和所述底表面之間的第二側(cè)；

在橫向上與所述半導(dǎo)體橋的所述第一側(cè)相鄰的第一多個(gè)互連；

在橫向上與所述半導(dǎo)體橋的所述第二側(cè)相鄰的第二多個(gè)互連；

第一IC器件，電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面，并且所述第一IC器件電耦合至所述第一多個(gè)互連；

第二IC器件，電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面，并且所述第二IC器件電耦合至所述第二多個(gè)互連；

封蓋材料，處于所述第一IC器件和所述第二IC器件之間并與所述第一IC器件和所述第二IC器件接觸，所述封蓋材料處于所述第一IC器件和所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面之間，并且所述封蓋材料處于所述第二IC器件和所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面之間；以及

所述半導(dǎo)體橋的所述底表面下方的第一多個(gè)凸塊，所述第一多個(gè)凸塊在所述半導(dǎo)體橋的所述第一側(cè)和所述第二側(cè)內(nèi)；

所述第一多個(gè)互連下方的第二多個(gè)凸塊；以及

所述第二多個(gè)互連下方的第三多個(gè)凸塊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述第一多個(gè)互連在第一互連封裝中，并且所述第二多個(gè)互連在第二互連封裝中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述第一多個(gè)互連是第一多個(gè)過孔條，并且所述第二多個(gè)互連是第二多個(gè)過孔條。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述模制化合物在所述半導(dǎo)體橋的所述底表面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，還包括：

第三IC器件，電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面，其中，所述第三IC器件處于所述第一IC器件和所述第二IC器件之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述第三IC器件是無源器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述第一IC器件通過第一多個(gè)柱電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面并且電耦合至所述第一多個(gè)互連，并且其中，所述第二IC器件通過第二多個(gè)柱電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面并且電耦合至所述第二多個(gè)互連。

8.一種系統(tǒng)級封裝設(shè)備，包括：

模制化合物中的半導(dǎo)體橋，所述半導(dǎo)體橋具有頂表面、底表面、在所述頂表面和所述底表面之間的第一側(cè)、以及在所述頂表面和所述底表面之間的第二側(cè)；

在橫向上與所述半導(dǎo)體橋的所述第一側(cè)相鄰的第一互連；

在橫向上與所述半導(dǎo)體橋的所述第二側(cè)相鄰的第二互連；

第一IC器件，電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面，并且所述第一IC器件電耦合至所述第一互連；

第二IC器件，電耦合至所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面，并且所述第二IC器件電耦合至所述第二互連；

封蓋材料，處于所述第一IC器件和所述第二IC器件之間并與所述第一IC器件和所述第二IC器件接觸，所述封蓋材料處于所述第一IC器件和所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面之間，并且所述封蓋材料處于所述第二IC器件和所述半導(dǎo)體橋的所述頂表面之間；以及

所述半導(dǎo)體橋的所述底表面下方的第一凸塊，所述第一凸塊在所述半導(dǎo)體橋的所述第一側(cè)和所述第二側(cè)內(nèi)；

所述第一互連下方的第二凸塊；以及

所述第二互連下方的第三凸塊。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述第一互連在第一互連封裝中，并且所述第二互連在第二互連封裝中。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述第一互連是第一過孔條，并且所述第二互連是第二過孔條。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)級封裝設(shè)備，其中，所述模制化合物在所述半導(dǎo)體橋的所述底表面上。